发明授权
- 专利标题： 金属纳米球和微球的形成
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申请号： CN201280041548.X申请日： 2012-08-29
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公开(公告)号： CN103765622B公开(公告)日： 2016-07-13
- 发明人: A·J·洪 , 郑宇植 , 金志焕 , 罗载雄 , D·K·萨达那
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 于静; 张亚非
- 优先权： 13/220,816 2011.08.30 US
- 国际申请： PCT/US2012/052759 2012.08.29
- 国际公布： WO2013/033139 EN 2013.03.07
- 进入国家日期： 2014-02-26
- 主分类号： H01L51/40
- IPC分类号： H01L51/40
摘要：
形成了半球（18）和球（28）并且将它们用于多种应用。半球（18）用于形成具有上表面和下表面的衬底（12）。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱（10）的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构（18）的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。
公开/授权文献
- CN103765622A 金属纳米球和微球的形成 公开/授权日：2014-04-30
IPC分类:
