公开(公告)号：CN103765622A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041548.X

申请日：2012-08-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·J·洪 ,  郑宇植 ,  金志焕 ,  罗载雄 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L31/035227 ,  C03C15/00 ,  C03C17/06 ,  C03C2218/34 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/548 ,  Y10S438/945 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/779 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12069 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/2982

摘要： 形成了半球（18）和球（28）并且将它们用于多种应用。半球（18）用于形成具有上表面和下表面的衬底（12）。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱（10）的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构（18）的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。

公开(公告)号：CN103563089A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026299.7

申请日：2012-06-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·切恩德拉 ,  A·J·洪 ,  J·吉姆 ,  D·K·萨达纳 ,  G·S·土尔艾瓦斯盖

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884

摘要： 光伏设备和方法包括具有N掺杂层（112）、P掺杂层（108）和本征层（110）的光伏栈。透明电极形成在光伏栈上并且包括碳基层（105）和高功函数金属层（107）。高功函数金属层被布置在碳基层与P掺杂层之间的分界面处以使得高功函数金属层形成降低的势垒接触并且是光透射的。

公开(公告)号：CN103390697A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310168107.2

申请日：2013-05-09

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈自强 ,  A·J·洪 ,  金志焕 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/077 ,  H01L31/0368 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L31/077 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/065 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。

公开(公告)号：CN103390697B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201310168107.2

申请日：2013-05-09

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈自强 ,  A·J·洪 ,  金志焕 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/077 ,  H01L31/0368 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L31/077 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/065 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。

公开(公告)号：CN103563091A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026863.5

申请日：2012-06-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·阿布-坎蒂尔 ,  K·E·弗格尔 ,  A·J·洪 ,  J·吉姆 ,  D·K·萨达纳

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 光伏装置及用于制造光伏装置的方法包括以下步骤：在透射式衬底上形成吸收光的半导体结构，该半导体结构包括第一掺杂层；及在第一掺杂层上形成本征层，其中本征层包括非晶材料。用等离子体处理本征层以形成晶种位点。通过自晶种位点生长微晶在本征层上形成第一隧道结层。

公开(公告)号：CN103563091B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201280026863.5

申请日：2012-06-05

申请人： 国际商业机器公司 ,  埃及纳米技术中心

发明人： A·阿布-坎蒂尔 ,  K·E·弗格尔 ,  A·J·洪 ,  J·吉姆 ,  D·K·萨达纳

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 光伏装置及用于制造光伏装置的方法包括以下步骤：在透射式衬底上形成吸收光的半导体结构，该半导体结构包括第一掺杂层；及在第一掺杂层上形成本征层，其中本征层包括非晶材料。用等离子体处理本征层以形成晶种位点。通过自晶种位点生长微晶在本征层上形成第一隧道结层。

公开(公告)号：CN105762235A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610187485.9

申请日：2012-08-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·J·洪 ,  郑宇植 ,  金志焕 ,  罗载雄 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L31/035227 ,  C03C15/00 ,  C03C17/06 ,  C03C2218/34 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/548 ,  Y10S438/945 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/779 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12069 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/2982 ,  H01L31/20 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及金属纳米球和微球的形成。形成了半球(18)和球(28)并且将它们用于多种应用。半球(18)用于形成具有上表面和下表面的衬底(12)。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱(10)的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构(18)的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。

公开(公告)号：CN103765622B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280041548.X

申请日：2012-08-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·J·洪 ,  郑宇植 ,  金志焕 ,  罗载雄 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L31/035227 ,  C03C15/00 ,  C03C17/06 ,  C03C2218/34 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/548 ,  Y10S438/945 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/779 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12069 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/2982

摘要： 形成了半球（18）和球（28）并且将它们用于多种应用。半球（18）用于形成具有上表面和下表面的衬底（12）。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱（10）的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构（18）的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。

公开(公告)号：CN104576739A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410559949.5

申请日：2014-10-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·J·格林尼 ,  A·J·洪 ,  金炳烈 ,  D·M·莫库塔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本公开涉及半导体结构及其制造方法。在绝缘体上半导体(SOI)衬底上形成电介质材料层，所述SOI衬底包括含有第一半导体材料的顶部半导体层。在电介质材料层内形成开口，并通过蚀刻在开口区域内在顶部半导体层中形成沟槽。利用选择性外延处理来沉积第二半导体材料至在顶部半导体层的顶面上方的高度。可沉积另一电介质材料，并在顶部半导体层中形成另一沟槽。可以利用另一选择性外延处理来沉积另一半导体材料至不同的高度。各种半导体材料部分可被图案化以形成具有不同高度和/或不同成分的半导体鳍。