Invention Grant
- Patent Title: 硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法
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Application No.: CN201410075181.4Application Date: 2014-03-03
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Publication No.: CN103805998BPublication Date: 2016-07-13
- Inventor: 卫志敏 , 肖新民 , 丁志强 , 祁宏山 , 王文杰 , 彭文龙
- Applicant: 常州天合光能有限公司
- Applicant Address: 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
- Assignee: 常州天合光能有限公司
- Current Assignee: 天合光能有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
- Agency: 常州市维益专利事务所
- Agent 张晓东
- Main IPC: C23F1/08
- IPC: C23F1/08

Abstract:
本发明涉及一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法,包括输送滚轮、储液盒和进液管道,储液盒内具有储液腔体,储液盒设置在输送滚轮的上方,反应液通过进液管道进入储液盒,储液盒的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮输送的硅片的上表面的喷液孔。反应液从硅片上方的储液盒的喷液孔均匀喷向通过其下方的硅片,使反应液在硅片表面溢流。本发明的有益效果是:通过喷射反应液,使反应液在硅片表面溢流,即提高了反应液与硅片的反应速率,又保证了刻蚀均匀性。
Public/Granted literature
- CN103805998A 硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法 Public/Granted day:2014-05-21
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