发明授权
CN103820120B 一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体及其水相制备方法和应用
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体及其水相制备方法和应用
-
申请号: CN201410054799.2申请日: 2014-02-18
-
公开(公告)号: CN103820120B公开(公告)日: 2015-10-28
- 发明人: 彭晖 , 沈志涛 , 王依婷 , 罗春花
- 申请人: 华东师范大学
- 申请人地址: 上海市普陀区中山北路3663号
- 专利权人: 华东师范大学
- 当前专利权人: 华东师范大学
- 当前专利权人地址: 上海市普陀区中山北路3663号
- 代理机构: 上海麦其知识产权代理事务所
- 代理商 董红曼
- 主分类号: C09K11/88
- IPC分类号: C09K11/88 ; A61K49/00 ; A61K49/06 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00 ; B82Y20/00
摘要:
本发明公开了一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体其为具有磁性的Gd掺杂的CdTe纳米晶体,10≤Cd/Gd的摩尔比≤50,其荧光发射波长可调,其荧光量子产率高。本发明还公开该Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水相制备方法及其在荧光-核磁共振双模式成像中的应用。本发明制备方法在水溶液中进行,具有原料易得、成本低、操作简单安全、可控性强等优点。本发明Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水溶性好、荧光发射波长可调、荧光量子产率高、生物相容性好,具有优良荧光和磁性性质,具有非常好的荧光-磁共振双模式成像性能。
公开/授权文献
- CN103820120A 一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体及其水相制备方法和应用 公开/授权日:2014-05-28