发明公开
- 专利标题: 多级会切磁场等离子体推动器的变截面通道
- 专利标题(英): Variable-cross-section channel of multi-stage cusped magnetic field plasma pusher
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申请号: CN201410074742.9申请日: 2014-03-03
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公开(公告)号: CN103835905A公开(公告)日: 2014-06-04
- 发明人: 刘辉 , 陈蓬勃 , 于达仁 , 马成毓 , 赵隐剑 , 孙国顺
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 张利明
- 主分类号: F03H1/00
- IPC分类号: F03H1/00
摘要:
多级会切磁场等离子体推动器的变截面通道,本发明属于会切磁场等离子体推动器领域,尤其涉及会切磁场等离子体推动器的变截面通道。本发明是为了解决现有会切磁场等离子体推动器直通道壁面容易出现气体工质逸漏的问题。等离子体推动器的陶瓷通道内侧壁沿陶瓷通道的轴向方向嵌固有n个圆环形的凸台,n个凸台的内侧壁均为圆柱面,或n个凸台的轴向截面的内侧壁均呈拱形,其中n为正整数,本发明通过在通道内部增加凸台来改变截面,使等离子体推动器的陶瓷直通道壁面呈现出变截面的形式,这就使得气体工质在壁面处能够充分电离,防止壁面气体逸漏,从而消除出口可能存在的二次羽流。本方发明适用于会切磁场等离子体推动器中。
公开/授权文献
- CN103835905B 多级会切磁场等离子体推动器的变截面通道 公开/授权日:2016-06-15