Invention Grant
CN103848455B 二维半导体模板材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 二维半导体模板材料及其制备方法
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Application No.: CN201410066719.5Application Date: 2014-02-26
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Publication No.: CN103848455BPublication Date: 2016-04-06
- Inventor: 彭秋明 , 张庆瑞 , 付辉
- Applicant: 燕山大学
- Applicant Address: 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
- Assignee: 燕山大学
- Current Assignee: 燕山大学
- Current Assignee Address: 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
- Agency: 石家庄一诚知识产权事务所
- Agent 续京沙
- Main IPC: C01G1/00
- IPC: C01G1/00

Abstract:
一种二维半导体模板材料,它的化学式为Mn+1Xn(OH)n,其中M为Sc、Ti或Zr,X为B、C或N,n为1或2;它的原材料为Mn+1AXn,其中A为Li、Na、Al、Si或K,将原材料烧结后进行球磨处理,获得粒度等于或者小于5μm的原材料粉末,在40-60wt.%HF溶液中恒温浸泡8-10小时,并使用电磁搅拌,同时用超声波对浸泡溶液进行超声处理60-80min,最后分别用5wt.%NaOH和去离子水清洗,直至原材料的PH值等于7,离心干燥后得到Mn+1Xn(OH)n二维半导体模板材料。本发明工艺和设备简单,重复性好,所得二维半导体模板材料剥离分层效果好,具有高的比表面积和可调的能带结构。
Public/Granted literature
- CN103848455A 二维半导体模板材料及其制备方法 Public/Granted day:2014-06-11
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