发明公开
- 专利标题: 磁性存储系统读磁头的磁阻传感器及其制造方法
- 专利标题(英): MAGNETORESISTIVE SENSOR FOR A MAGNETIC STORAGE SYSTEM READ HEAD, AND FABRICATION METHOD THEREOF
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申请号: CN201310629032.3申请日: 2013-11-29
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公开(公告)号: CN103854668A公开(公告)日: 2014-06-11
- 发明人: C-H·杨 , C-J·钱 , C·凯泽 , Y·郑 , Q·冷 , M·帕卡拉
- 申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 西部数据(弗里蒙特)公司
- 当前专利权人: 西部数据技术公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 赵蓉民
- 优先权: 13/691,695 2012.11.30 US
- 主分类号: G11B5/127
- IPC分类号: G11B5/127 ; G11B5/48
摘要:
本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火,并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收,由此提高自由层的磁性能。然后,将盖帽层厚度减小到第二厚度,从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽(SS)堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。
公开/授权文献
- CN103854668B 磁性存储系统读磁头的磁阻传感器及其制造方法 公开/授权日:2018-04-27