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公开(公告)号:CN103854668B
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201310629032.3
申请日:2013-11-29
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号: G11B5/3906 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121
摘要: 本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火,并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收,由此提高自由层的磁性能。然后,将盖帽层厚度减小到第二厚度,从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽(SS)堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。
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公开(公告)号:CN103296199B
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201310054860.9
申请日:2013-02-20
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号: H01L43/12 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3909 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/307
摘要: 本发明描述了新颖的隧道磁阻(TMR)沉积过程,该过程可增强TMR读取器的信噪比(SNR)。制造隧道磁阻传感器的方法包括:提供衬底;在衬底上形成磁性隧道结(MTJ)的第一部分;在衬底上形成MTJ的第二部分;在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层;在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后,加热MTJ结构的第一部分;以及冷却隧道势垒层。
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公开(公告)号:CN101937685A
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN201010216900.1
申请日:2010-06-24
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号: G11B5/39
CPC分类号: G11B5/127 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , F27D7/06 , F27D19/00 , G01R33/098 , G11B5/3109 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/303 , H01F41/307 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要: 本发明描述了一种提供磁记录换能器的方法和系统。该方法和系统包括为磁性元件提供被钉扎层。一方面,提供了磁性元件的隧道势垒层的一部分。在提供该部分隧道势垒层后退火磁记录换能器。退火温度高于室温。在退火后提供隧道势垒层的剩余部分。另一方面,在退火磁换能器之前,磁换能器被转移至高真空退火装置。在该方面,可以在提供隧道势垒的任意部分之前或在提供隧道势垒的至少一部分之后退火磁换能器。退火在高真空退火装置中执行。还提供了磁性元件的自由层。
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公开(公告)号:CN101937685B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201010216900.1
申请日:2010-06-24
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号: G11B5/39
CPC分类号: G11B5/127 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , F27D7/06 , F27D19/00 , G01R33/098 , G11B5/3109 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/303 , H01F41/307 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要: 本发明描述了一种提供磁记录换能器的方法和系统。该方法和系统包括为磁性元件提供被钉扎层。一方面,提供了磁性元件的隧道势垒层的一部分。在提供该部分隧道势垒层后退火磁记录换能器。退火温度高于室温。在退火后提供隧道势垒层的剩余部分。另一方面,在退火磁换能器之前,磁换能器被转移至高真空退火装置。在该方面,可以在提供隧道势垒的任意部分之前或在提供隧道势垒的至少一部分之后退火磁换能器。退火在高真空退火装置中执行。还提供了磁性元件的自由层。
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公开(公告)号:CN103854668A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201310629032.3
申请日:2013-11-29
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号: G11B5/3906 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121
摘要: 本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火,并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收,由此提高自由层的磁性能。然后,将盖帽层厚度减小到第二厚度,从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽(SS)堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。
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公开(公告)号:CN103296199A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310054860.9
申请日:2013-02-20
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号: H01L43/12 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3909 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/307
摘要: 本发明描述了新颖的隧道磁阻(TMR)沉积过程,该过程可增强TMR读取器的信噪比(SNR)。制造隧道磁阻传感器的方法包括:提供衬底;在衬底上形成磁性隧道结(MTJ)的第一部分;在衬底上形成MTJ的第二部分;在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层;在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后,加热MTJ结构的第一部分;以及冷却隧道势垒层。
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