- 专利标题： 纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法
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申请号： CN201210513894.5申请日： 2012-12-04
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公开(公告)号： CN103854971B公开(公告)日： 2016-10-05
- 发明人: 肖德元 , 洪中山
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; B82Y10/00 ; B82Y40/00 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供一种纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法，所述纳米线的制造方法包括：形成横截面呈长方形的第一纳米线；在所述第一纳米线的表面上形成半导体层，形成包括所述第一纳米线和所述半导体层的第二纳米线，所述第二纳米线横截面为边长数大于或等于五的多边形；对所述第二纳米线进行退火，以形成纳米线。本发明还提供一种包括所述纳米线制造方法的纳米线场效应晶体管的制造方法。本发明能在简化制程的同时优化纳米线场效应晶体管的性能。
公开/授权文献
- CN103854971A 纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法 公开/授权日：2014-06-11
IPC分类:
