发明公开
CN103864005A 通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力
无效 - 撤回
- 专利标题: 通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力
- 专利标题(英): Reducing MEMS stiction by deposition of nanoclusters
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申请号: CN201310690749.9申请日: 2013-12-17
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公开(公告)号: CN103864005A公开(公告)日: 2014-06-18
- 发明人: R·F·斯蒂姆勒 , R·B·蒙特兹
- 申请人: 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘倜
- 优先权: 13/718,614 2012.12.18 US
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00 ; B81B3/00 ; B81B7/00 ; B81B7/02
摘要:
本发明涉及通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力。本发明提供了一种机制,用于通过减少可以紧密接触的两个表面之间的表面积来降低一个MEMS装置中的静摩擦力。通过增加一个或两个表面的表面粗糙度来实现接触表面积的降低。在形成MEMS装置中,通过在使用的牺牲层上形成微掩模层,并且然后蚀刻所述牺牲层的表面提供了增加的粗糙度。可以使用纳米团簇(520)来形成微掩模层。当在牺牲层(810)之上形成MEMS装置的下一个部分时,该部分将呈现通过蚀刻工艺所施加到牺牲层上的粗糙度特性。在MEMS装置中,更粗糙的表面(910)降低了可用于接触的表面积,并且,反过来,降低了通过表面可以被施加静摩擦力的面积。