本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺，生产成本低，制备速度快，操作简便，无需真空设备，在大气压条件下即可完成，对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积，同时材料便于回收利用，安全环保，可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。