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公开(公告)号：CN103881130B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410111213.1
申请日：2014-03-25
申请人： 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
IPC分类号： C08J7/18
摘要： 本发明涉及一种大气压气体放电等离子体对塑料表面进行接枝改性的方法及生产线，属于塑料表面处理技术领域。该生产线包括塑料走膜系统、等离子体放电系统和黏合剂涂布系统，等离子体放电系统包括放电表面正向相对且平行放置的第一平板电极和贴有绝缘介质的第二平板电极，第一平板电极的放电表面与绝缘介质之间的间隙组成的等离子体放电区域，待处理的塑料膜通过塑料走膜系统进入等离子体放电系统的等离子体放电区域进行接枝改性处理，经处理后进入黏合剂涂布系统涂布完成处理。本发明缩短了生产线，减少了工序，降低了环境污染、能耗和生产线占地面积，利用该方法对塑料表面处理，降低了成本，保证了黏合剂附着牢固。
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公开(公告)号：CN103972451A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410216920.7
申请日：2014-05-21
申请人： 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
摘要： 本发明属于材料表面改性处理技术，特别是对电池隔膜进行表面改性处理的方法。其原理为在离子辅助电子束蒸发镀膜装置中，无机氧化物原料被加热蒸发、沉积至电池隔膜表面形成氧化物涂层的过程中，硅氧烷类有机单体被离子源电离活化并掺杂至无机氧化物涂层中。由于无机氧化物涂层的引入，提高了聚烯烃隔膜的亲水性和耐热性。且由于硅氧烷类有机单体的离化掺杂效应，明显降低无机氧化物涂层的内应力和阻隔性，从而使聚烯烃隔膜可以较好地保持原有的柔韧性和孔隙。从而，改善聚烯烃电池隔膜的亲水性、耐热性，并保持较好的柔韧性和孔隙率。
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公开(公告)号：CN103882412B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410140035.5
申请日：2014-04-09
申请人： 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/40
摘要： 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺，生产成本低，制备速度快，操作简便，无需真空设备，在大气压条件下即可完成，对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积，同时材料便于回收利用，安全环保，可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。
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公开(公告)号：CN103881130A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410111213.1
申请日：2014-03-25
申请人： 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
IPC分类号： C08J7/18
摘要： 本发明涉及一种大气压气体放电等离子体对塑料表面进行接枝改性的方法及生产线，属于塑料表面处理技术领域。该生产线包括塑料走膜系统、等离子体放电系统和黏合剂涂布系统，等离子体放电系统包括放电表面正向相对且平行放置的第一平板电极和贴有绝缘介质的第二平板电极，第一平板电极的放电表面与绝缘介质之间的间隙组成的等离子体放电区域，待处理的塑料膜通过塑料走膜系统进入等离子体放电系统的等离子体放电区域进行接枝改性处理，经处理后进入黏合剂涂布系统涂布完成处理。本发明缩短了生产线，减少了工序，降低了环境污染、能耗和生产线占地面积，利用该方法对塑料表面处理，降低了成本，保证了黏合剂附着牢固。
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公开(公告)号：CN103882412A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410140035.5
申请日：2014-04-09
申请人： 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/40
摘要： 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺，生产成本低，制备速度快，操作简便，无需真空设备，在大气压条件下即可完成，对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积，同时材料便于回收利用，安全环保，可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。
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公开(公告)号：CN112501589A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011229445.9
申请日：2020-11-06
申请人： 北京印刷学院
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明涉及一种原子层沉积装置，为了解决现有的热原子层沉积过程中，当沉积温度高于前驱体温度窗口上限时，沉积方式变为化学气相沉积问题，该装置包括可变温的基片台与沉积腔，实现了低温吸附、高温分解或进行反应，从而避免了原子层沉积受限于沉积窗口，拓展了原子层沉积技术前驱体的选择范围。
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公开(公告)号：CN106521440B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610996213.3
申请日：2016-11-12
申请人： 北京印刷学院
摘要： 一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，属于柔性包装薄膜材料制备技术领域。本发明是以磁控溅射法在聚合物薄膜表面沉积金属缓冲层，然后经真空蒸镀工艺沉积铝膜，获得高附着力镀铝膜。该制备工艺主要包括以下步骤：在磁控溅射腔室放置聚合物薄膜并将溅射腔室抽真空至6×10‑3Pa以下；开启磁控溅射电源，沉积金属缓冲层；以沉积有金属缓冲层的聚合物薄膜为基底在蒸发镀膜机中蒸镀铝膜，获得高附着力的镀铝膜。本发明可通过磁控溅射的工艺极大地增强镀铝膜的附着性能，可获得附着力在10N/15mm以上的高附着性能镀铝膜，溅射过程清洁环保，产品附加值高，工艺简单，容易产业化。
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公开(公告)号：CN106601583A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611195894.X
申请日：2016-12-22
申请人： 北京印刷学院
摘要： 本发明公开了一种空间聚焦的圆锥形高场非对称波形离子迁移管，包括有依次排列且同轴设置的气体入口、离子源、圆锥形分离电极対、屏蔽电极、法拉第盘检测电极对和气体出口；圆锥形分离电极对包括内、外电极，内电极为圆锥形且与外电极平行，内电极靠近离子源的一端为锥底、靠近法拉第盘检测电极对的一端为锥尖；气体入口设置在离子源的前端，气体出口设置在法拉第盘检测电极对的后端，屏蔽电极设置在圆锥形分离电极对与法拉第盘检测电极对之间。本发明可以实现大气压下离子的空间聚焦，将环状离子团汇聚为点状离子团，提高独立检测时的灵敏度；同时，用质谱替代屏蔽电极和法拉第盘检测电极，可以极大提高离子的利用效率，提高质谱的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN101623763B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910089073.1
申请日：2009-08-03
申请人： 北京印刷学院
IPC分类号： B22F9/24
摘要： 本发明属于纳米银合成领域，提供了在薄膜表面以大分子为模板合成纳米银的方法。本发明用介质阻挡放电装置，在真空条件下，以氨气或丙烯胺为放电单体，以氩气为辅助气体，在PET、BOPP、PE薄膜表面接枝胺基；将表面接枝胺基后的薄膜冰浴条件下滴加甲醇，再滴入丙烯酸甲酯反应；滴加乙二胺与甲醇的混合溶液反应；重复上述反应生成1.0G-5.0G的末端为胺基的聚酰胺胺树枝状大分子样品；反应完毕样品用甲醇清洗干净，放入硝酸银溶液中搅拌，取出后放入硼氢化钠溶液中搅拌，清洗后即合成了纳米银。本发明使得薄膜应用更加广泛，应用于杀菌包装，而且使得薄膜具有了贵金属纳米粒子的一些特性，广泛应用于超导、化工、光学、电子、电器等行业。
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公开(公告)号：CN101921994A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010241708.8
申请日：2010-07-30
申请人： 北京印刷学院
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/505
摘要： 本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体，以三甲基铝(TMA)为单体，用TMA-Ar-O2-Ar的交替脉冲的方式用等离子体方法实现原子层沉积氧化铝薄膜，沉积温度为室温。由于采用等离子体作为活性基的产生方式，沉积可以在较低的环境温度下进行，且生长速率较热原子层沉积高，约为0.12nm/周期，制备的薄膜质量也较热原子层沉积高。所得的Al2O3薄膜可广泛地应用于微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域。
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