发明公开
- 专利标题： 磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备
- 专利标题（英）： Magnetron and magnetron sputtering device applying magnetron
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申请号： CN201210562303.3申请日： 2012-12-21
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公开(公告)号： CN103887130A公开(公告)日： 2014-06-25
- 发明人: 李杨超 , 王厚工 , 耿波 , 吕峰
- 申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 申请人地址： 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 当前专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 彭瑞欣; 张天舒
- 主分类号： H01J25/50
- IPC分类号： H01J25/50 ; H01J23/02 ; C23C14/35
摘要：
本发明提供一种磁控管和磁控溅射设备，包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，在垂直于所述磁控管的径向截面上，所述内磁极为由两段螺旋线首尾串接而形成的不对称的闭合环形，且该螺旋线遵循下述极坐标方程：r＝a×θn+b×(cosθ)m+c×(tanθ)k+d，其中，r和θ为极坐标，n，m和k分别为θ、cosθ和tanθ的指数，且-2＜n＜2，-2＜m＜2，-2＜k＜2；而且，所述内磁极和与之形状相对应的外磁极相互不接触地嵌套在一起，以在二者之间形成闭合且不对称的通道；并且，该通道在磁控管扫描靶材表面时经过靶材的中心和边缘。本发明提供一种磁控管，不仅可以实现采用较低的溅射气压就能够满足启辉和维持等离子体的工艺条件，而且还可以提高薄膜厚度在基片径向方向上的均匀性，从而可以提高成膜质量。
公开/授权文献
- CN103887130B 磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备 公开/授权日：2016-08-31
