Invention Grant
CN103901463B 一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法
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Application No.: CN201410147982.7Application Date: 2014-04-14
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Publication No.: CN103901463BPublication Date: 2016-04-20
- Inventor: 都东 , 石涵 , 彭旗宇 , 许剑锋
- Applicant: 清华大学
- Applicant Address: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- Assignee: 清华大学
- Current Assignee: 清华大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- Agency: 北京鸿元知识产权代理有限公司
- Agent 邸更岩
- Main IPC: G01T1/202
- IPC: G01T1/202 ; G06F19/00

Abstract:
一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法,该方法利用离散晶体映射解码图中的反应深度信息,直接确定高能光子的反应深度,其包括如下步骤:a)标定高能光子反应深度与解码位置的对应关系;b)根据反应深度定位要求设定反应深度定位级别;c)根据反应深度级别确定反应深度分割边界;d)基于反应深度分割边界,由高能光子解码位置定位高能光子的反应深度。根据本发明的上述方法,通过建立反应深度与解码位置的对应关系和反应深度分割边界,不仅能有效解出高能光子反应深度信息,而且不需要传统方法中针对深度定位附加设计的复杂结构,节约成本,简单有效。
Public/Granted literature
- CN103901463A 一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法 Public/Granted day:2014-07-02
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