发明授权
CN103952581B 一种添加造孔剂制备高孔隙率钼硅硼多孔材料的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种添加造孔剂制备高孔隙率钼硅硼多孔材料的方法
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申请号: CN201410166718.8申请日: 2014-04-23
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公开(公告)号: CN103952581B公开(公告)日: 2016-01-20
- 发明人: 张来启 , 王礞 , 高强 , 钟文强 , 林均 , 梁永锋
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京市广友专利事务所有限责任公司
- 代理商 张仲波
- 主分类号: C22C1/08
- IPC分类号: C22C1/08 ; C22C27/04
摘要:
一种添加造孔剂制备高孔隙率钼硅硼多孔材料的方法,属于难熔金属多孔材料制备领域。所用造孔剂为碳酸氢铵。使用商用Mo粉、Si粉、B粉,按所需要的三种相的体积百分比配料,加入无水乙醇,使用全方位行星式球磨机混料12~36h,混合均匀的Mo-Si-B元素粉末中添加石蜡汽油成形剂,石蜡汽油成形剂含量占Mo-Si-B元素粉末和石蜡汽油成形剂总量的5~13wt.%,均匀后再添加碳酸氢铵造孔剂,碳酸氢铵造孔剂含量占Mo-Si-B元素粉末、石蜡汽油成形剂和碳酸氢铵造孔剂总量的30~75vol.%,混合均匀后经冷压成型,置于高温气氛烧结炉中在氩气气氛保护下常压烧结制备高孔隙率Mo5SiB2-Mo3Si-Mo5Si3三相合金。所制备的材料孔隙率和孔结构可调,可满足工业生产中不同的工况要求。该工艺流程简单,经济性良好。
公开/授权文献
- CN103952581A 一种添加造孔剂制备高孔隙率钼硅硼多孔材料的方法 公开/授权日:2014-07-30