Invention Grant
- Patent Title: 在集成电路中生成电能的方法、相应集成电路及制造方法
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Application No.: CN201410157724.7Application Date: 2010-06-04
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Publication No.: CN103972168BPublication Date: 2016-10-12
- Inventor: 克利斯汀·施瓦兹 , 克里斯托弗·蒙塞里 , 朱利安·德拉洛
- Applicant: ST微电子(鲁塞)有限公司 , 艾克斯-马赛大学
- Applicant Address: 法国鲁塞
- Assignee: ST微电子(鲁塞)有限公司,艾克斯-马赛大学
- Current Assignee: ST微电子(鲁塞)有限公司,艾克斯-马赛大学
- Current Assignee Address: 法国鲁塞
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 王茂华
- Priority: 0953702 2009.06.04 FR
- The original application number of the division: 2010101989893 2010.06.04
- Main IPC: H01L21/77
- IPC: H01L21/77 ; H01L27/20 ; H01L41/113 ; H02N2/18
Abstract:
本发明提供一种在集成电路中生成电能的方法、相应集成电路及制造方法。所述集成电路包括:在所述集成电路(CI)内制作、并且包含一个或多个压电元件(EPZ1)的一个或多个三维封闭空间(CG);以自由方式被容纳于所述一个三维封闭空间或每个封闭空间中的一个或多个物体(BL);以及导电输出装置(MSE),连接至所述压电元件,并且被配置为传送由所述物体与相应封闭空间的相对运动期间所述一个物体或所述多个物体中的至少一个物体与所述一个压电元件或所述多个压电元件中的至少一个压电元件的至少一次碰撞产生的电能。
Public/Granted literature
- CN103972168A 在集成电路中生成电能的方法、相应集成电路及制造方法 Public/Granted day:2014-08-06
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IPC分类: