- 专利标题： 包含金属氧化物电阻式存储器元件和反熔丝层的非易失性存储器单元
- 专利标题（英）： Non-volatile memory cell comprising metal oxide resistive memory element and an antifuse layer
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申请号： CN201280061039.3申请日： 2012-07-26
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公开(公告)号： CN103988264A公开(公告)日： 2014-08-13
- 发明人: K.侯 , Y-T.陈 , Z.兰 , H.许
- 申请人： 桑迪士克3D有限责任公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
- 当前专利权人： 桑迪士克科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 万里晴
- 优先权： 61/547,819 2011.10.17 US
- 国际申请： PCT/US2012/048232 2012.07.26
- 国际公布： WO2013/058853 EN 2013.04.25
- 进入国家日期： 2014-06-11
- 主分类号： G11C17/16
- IPC分类号： G11C17/16 ; G11C13/00 ; H01L27/24 ; H01L45/00
摘要：
一种非易失性存储器单元，包括第一电极、操纵元件、位于与该操纵元件串联的金属氧化物存储元件、位于与该操纵元件和该金属氧化物存储元件串联的介电电阻器、以及第二电极。
公开/授权文献
- CN103988264B 包含金属氧化物电阻式存储器元件和反熔丝层的非易失性存储器单元 公开/授权日：2015-08-26
