公开(公告)号：CN103988264A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061039.3

申请日：2012-07-26

申请人： 桑迪士克3D有限责任公司

发明人： K.侯 ,  Y-T.陈 ,  Z.兰 ,  H.许

IPC分类号： G11C17/16 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 一种非易失性存储器单元，包括第一电极、操纵元件、位于与该操纵元件串联的金属氧化物存储元件、位于与该操纵元件和该金属氧化物存储元件串联的介电电阻器、以及第二电极。

公开(公告)号：CN103988264B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201280061039.3

申请日：2012-07-26

申请人： 桑迪士克3D有限责任公司

发明人： K.侯 ,  Y-T.陈 ,  Z.兰 ,  H.许

IPC分类号： G11C17/16 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 一种非易失性存储器单元，包括第一电极、操纵元件、位于与该操纵元件串联的金属氧化物存储元件、位于与该操纵元件和该金属氧化物存储元件串联的介电电阻器、以及第二电极。