发明授权
CN104016675B BaTiO3基PTC陶瓷粉料、片式热敏电阻及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: BaTiO3基PTC陶瓷粉料、片式热敏电阻及其制备方法
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申请号: CN201410280282.5申请日: 2014-06-20
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公开(公告)号: CN104016675B公开(公告)日: 2016-05-04
- 发明人: 霍伟荣 , 王晓宁 , 于天来
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都希盛知识产权代理有限公司
- 代理商 蒲敏
- 主分类号: H01C7/02
- IPC分类号: H01C7/02 ; C04B35/468 ; C04B35/626
摘要:
本发明提供一种无铅高Tc低室温电阻率的BaTiO3基PTC陶瓷粉料、片式热敏电阻及其制备方法。BaTiO3基PTC陶瓷粉料,其组成成分的摩尔份数包括:BT:80~100份;BNT+BKT:0~20份;MnO2:0.11~0.14份;AST:3~5份,所述AST由Al2O3、SiO2和TiO2组成。本发明采用BNT和BKT作为Tc迁移剂固溶在BT基PTC热敏电阻陶瓷中来提高Tc,同时采用流延工艺制备多层片式结构的电阻器件来降低室温电阻率,使其具备实用价值。本发明的PTC片式热敏电阻的室温电阻率在50Ω.cm以下,升阻比大于103,Tc大于120℃,制备方法和工艺过程简单易控,便于实现工业化生产。
公开/授权文献
- CN104016675A BaTiO3基PTC陶瓷粉料、片式热敏电阻及其制备方法 公开/授权日:2014-09-03