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公开(公告)号：CN118942817A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310525005.5
申请日：2023-05-11
申请人： 富致科技股份有限公司
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 一种正温度系数聚合物组成物，包含聚合物组分及导电填料组分。该导电填料组分分散在该聚合物组分中，并包括第一导电填料及第二导电填料。该第一导电填料是零维碳材，该第二导电填料是选自于一维碳材、二维碳材或其组合。本发明还提供一种正温度系数电路保护装置，包含PTC聚合物层及两个电极，该两个电极分别贴附在该PTC聚合物层的两相反侧。该PTC聚合物层包括如上所述的正温度系数聚合物组成物。包括该正温度系数聚合物组成物的正温度系数电路保护装置兼具低的初始电阻、体积电阻率及良好的PTC效应。
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公开(公告)号：CN118851744A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410886524.9
申请日：2024-07-03
申请人： 刘丰玮
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01C7/02
摘要： 本发明涉及低阻值、高升阻比无铅PTC热敏陶瓷材料及其制备方法和应用，包括如下摩尔份数的物料：碳酸钡67‑68份、二氧化钛74‑75份、碳酸锶5‑6份、三氧化二钇0.01‑0.4份、五氧化二铌0.05‑0.3份、镍粉0.001‑0.15份、二氧化硅24‑25份、氧化铝0.4‑0.6份、二氧化锰0.001‑0.15份；具体是先制备含有钇掺杂钛酸钡基的PTC基料，一次球磨后预烧结，再将预烧结料、镍单质及锰元素进行二次球磨，压制成型后进行再烧结掺杂制得；本发明的PTC陶瓷热敏电阻其室温阻值小于等于40Ω·cm，升阻比大于等于104，最高升阻比达到107，且制备过程环保。
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公开(公告)号：CN112786268B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110148682.0
申请日：2021-02-03
申请人： 上海维安电子股份有限公司
IPC分类号： H01C7/02 , H01C7/18 , H01C17/00 , H01C17/065
摘要： 本发明涉及一种双接触面PTC过流保护元件，包括具有电阻正温度系数效应的PTC复合材料片材、绝缘材料层、端电极以及连接不同电极的导电孔，本发明元件存在至少两层具有电阻正温度系数效应的PTC复合材料片材，至少两个导电孔，所述的导电孔以盲孔和/或通孔的形式分别连接一个端电极和各PTC复合材料片材的一个导电电极，且与另一端电极和各PTC复合材料片材的另一导电电极是电气隔离，使得各PTC复合材料片材间处于并联状态。本发明双接触面PTC过流保护元件以较小的尺寸获得低电阻的PTC过流保护，适合物理夹持使用，或者，装配引脚端子进行使用。
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公开(公告)号：CN116332639B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211569319.7
申请日：2022-12-08
申请人： 上海材料研究所有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/475 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/495 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H01C7/02
摘要： 本发明涉及一种低室温电阻率高升阻比的无铅PTC热敏陶瓷材料及制备方法，本发明通过改良钛酸钡基无铅PTC材料的配方以及调整还原气氛组成和配比，采用分段烧结的方式，来优化材料性能。其中第一次烧结过程中，通入还原性气体(CO：N2＝1：4)来消耗氧气并制造还原气氛，从而大幅降低陶瓷的室温电阻率。在第二阶段的再氧化烧结过程中，晶界部分被氧化，使得陶瓷的升阻比大幅提升，达到可与含铅PTC相媲美的优良性能，大大减少环境污染。
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公开(公告)号：CN118430927A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410117439.6
申请日：2024-01-29
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01F17/00 , H01F3/02 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01C7/18 , H10N30/50 , H01C7/02 , H01C7/04 , H01M10/0585
摘要： 本发明提供电子部件。电子部件包括素体以及第一外部电极和第二外部电极。素体具有主面、在第一方向上彼此相对并且与主面相邻的一对第一侧面、以及在与第一方向交叉的第二方向上彼此相对并且与主面相邻的一对第二侧面。第一外部电极和第二外部电极配置在主面，并且在第一方向上彼此隔开。第一外部电极具有第一区域和第二区域。第一区域在第一方向上与第二外部电极相对，并且具有位于素体内的端缘。第二区域与第一区域连续，并且从主面露出。第二外部电极具有第三区域和第四区域。第三区域在第一方向上与第一区域相对，并且具有位于素体内的端缘。第四区域与第三区域连续，并且从主面露出。
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公开(公告)号：CN116130186B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310338244.X
申请日：2023-03-31
申请人： 湖南凯通电子有限公司
IPC分类号： H01C7/02 , H01C17/232 , H01C17/24
摘要： 本发明涉及一种正温度系数热敏材料的处理技术，具体是一种热敏电阻调阻设备及其调阻方法,该设备包括撬装底座，撬装底座上沿其长度方向对称设置液罐和马弗炉；还包括吊载工具，吊载工具设置在顶盖下方；转移机构设置在顶盖与撬装底座之间，用于将顶盖及顶盖下方的吊载工具从液罐转移至马弗炉上。设置的转移机构能够实现顶盖下方的吊载工具从液罐自动转移至马弗炉中，在整个转移过程中始终保持吊载工具竖直；浸泡之前借助滚珠与螺旋轨道配合能够提前对液罐中的试剂液进行搅动，防止试剂液沉淀和分层；浸泡完成之后，滚珠与螺旋轨道反向配合能够带动吊载工具旋转，利用离心力将吊载工具及其上的热敏材料上粘附的多余试剂液甩出，提高晾干速率。
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公开(公告)号：CN110111958B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201910492683.X
申请日：2019-06-06
申请人： 宁波科联电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种热敏芯片、一种制造装置及其制造方法，包括：一混合器；一搅拌器；一烘箱；一马弗炉；一油压机和一内圆切片机，其中所述油压机连接所述马弗炉以将粉体进行压制成型，随后进行烧结，通过所述内圆切片机进行切片；以及一恒温硅油槽和一热敏电阻分选仪，所述恒温硅油槽连接所述内圆切片机以将切好的芯片进行放置处理，同时所述热敏电阻分选仪设置在所述恒温硅油槽中进行阻值分选，最后重新置入所述烘箱中进行烘烤以完成制备。能够制备纳米级氧化物半导体热敏芯片，并且电极和芯片之间结合程度高，质量稳定。
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公开(公告)号：CN118280670A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211733457.4
申请日：2022-12-30
申请人： 安徽翔胜科技有限公司
摘要： 本发明提供一种芯片排阻式组合电阻，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板顶部设有电阻组件，所述陶瓷基板位于电阻组件的两侧等距设有导体组件，且导体组件与电阻组件电性连接，所述电阻组件包括电阻体层，所述陶瓷基板上端表面上印制有电阻体层，且电阻体层表面上印制有第一层保护层，所述第一层保护层顶部通过镭射修阻调整阻值印制有第二层环氧树脂保护层，通过陶瓷基板表面的X、Y轴的分割线的作用下，在陶瓷基板上构成固定尺寸的方块，可以一次成型完成4或8或16颗并联电阻，相对于现有技术，实现了若干单一电阻的串并联；简化PCB板设计、安装更加方便、保证SMT、焊接质量、减小成套设备的体积。
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公开(公告)号：CN118254432A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410513243.9
申请日：2024-04-26
申请人： 华东理工大学 , 厦门银方新材料科技有限公司
IPC分类号： B32B15/20 , B32B15/01 , B32B33/00 , B32B27/32 , B32B27/20 , B32B15/085 , B32B27/06 , B32B7/025 , B32B37/24 , B32B37/06 , B32B37/10 , H01C7/02
摘要： 本发明公开了一种五层结构的高分子基正温度系数(PTC)复合材料及其制备方法和应用。该五层结构的高分子基PTC复合材料包括导电金属层、高分子PTC材料层1以及高分子PTC材料层2。其中，导电金属层作为最外层；高分子PTC材料2作为次外层，具有较低的室温电阻率；高分子PTC材料1位于中间层，具备较高的抗电压能力。高分子PTC复合材料通过五层结构设计，结合了低室温电阻率和高抗电压能力的优点，使其在不同热敏电阻器件中具有巨大的应用潜力。
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