发明授权
CN1040265C 含静电电容元件的半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 含静电电容元件的半导体器件的制造方法
- 专利标题（英）： Apparatus of semiconductor having static capacitor elements and method of manufacturing same
-
申请号： CN91103576.1申请日： 1991-05-31
-
公开(公告)号： CN1040265C公开(公告)日： 1998-10-14
- 发明人: 井上俊辅 , 坂下幸彦 , 中村佳夫 , 菊池伸 , 壌原浩
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 马浩
- 优先权： 139615/90 1990.05.31 JP; 139619/90 1990.05.31 JP; 308544/90 1990.11.16 JP
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00
摘要：
一种制造半导体集成电路器件的方法，其包括以下步骤，在栅极绝缘膜中形成一个矩形的宽W长L的开口，其中W≤L，通过使用包括烷基铝氢化物和氢的蒸气的选择性化学淀积在所述开口中淀积铝或以铝为主要成分的金属，以便制出具有长方体形状且高为H，H＞W的下层电极；通过氧化下层电极的表面，在所述电容器下层电极的露出的表面上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成一个电容器上部电极。
公开/授权文献
- CN1056955A 含静电电容元件的半导体装置及其制造方法 公开/授权日：1991-12-11
IPC分类:
