发明公开
CN104045105A 一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法
- 专利标题(英): Process for preparing cadmium sulfide quantum dots by low temperature two-phase synthesis method
-
申请号: CN201410195003.5申请日: 2014-05-11
-
公开(公告)号: CN104045105A公开(公告)日: 2014-09-17
- 发明人: 利明 , 邵飞燕 , 杨建文
- 申请人: 桂林理工大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市建干路12号
- 专利权人: 桂林理工大学
- 当前专利权人: 桂林理工大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市建干路12号
- 主分类号: C01G11/02
- IPC分类号: C01G11/02 ; C09K11/56 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00 ; B82Y20/00
摘要:
本发明公开了一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法。将镉源在室温下溶于油胺,加入油酸稀释,制得镉溶液,即为油相;镉源为氯化镉、硫酸镉和硝酸镉中的一种,油胺与油酸的体积比为1:4;将升华硫粉在室温条件下超声溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液或者将含硫化合物直接溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液;升华硫粉或含硫化合物为硫源,含硫化合物为硫脲或硫化钠,三辛基膦为包裹剂,硫源与包裹剂的摩尔比为2:1;将镉溶液与硫溶液混合,在70度水浴条件下反应30分钟,在油相中有硫化镉量子点生成。本发明方法原料来源广,反应温度低,制得的硫化镉量子点粒径均匀,尺寸分布较窄,吸光峰位置在396~445纳米之间可调,荧光较强。
公开/授权文献
- CN104045105B 一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法 公开/授权日:2015-09-23
IPC分类: