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公开(公告)号：CN110215925B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910494366.1
申请日：2019-06-09
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： B01J27/047 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/36
摘要： 本发明公开了一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法。将制备CdS所需的硫源和镉源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CdS和WO3同时生成，得到CdS‑WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变镉源、硫源和钨源的相对浓度控制复合物中CdS和WO3的相对含量，从而调节CdS‑WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CdS‑WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
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公开(公告)号：CN104045105A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410195003.5
申请日：2014-05-11
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法。将镉源在室温下溶于油胺，加入油酸稀释，制得镉溶液，即为油相；镉源为氯化镉、硫酸镉和硝酸镉中的一种，油胺与油酸的体积比为1:4；将升华硫粉在室温条件下超声溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液或者将含硫化合物直接溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液；升华硫粉或含硫化合物为硫源，含硫化合物为硫脲或硫化钠，三辛基膦为包裹剂，硫源与包裹剂的摩尔比为2:1；将镉溶液与硫溶液混合，在70度水浴条件下反应30分钟，在油相中有硫化镉量子点生成。本发明方法原料来源广，反应温度低，制得的硫化镉量子点粒径均匀，尺寸分布较窄，吸光峰位置在396~445纳米之间可调，荧光较强。
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公开(公告)号：CN106892458B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710064680.7
申请日：2017-02-05
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。
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公开(公告)号：CN105552237A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610084608.6
申请日：2016-02-14
申请人： 桂林理工大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032
摘要： 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法。以导电玻璃作为基底，采用电沉积的方法制备硫化铅薄膜，并以硫化铅薄膜作为前驱体，碘单质作为碘化剂将硫化铅碘化为碘化铅，再与甲基卤化铵反应得到钙钛矿薄膜。本发明方法能够大面积操作，膜层的面积和形状可控，通过腐蚀导电面的方法可控制电沉积的面积和形状；膜层的厚度可控，通过调节电沉积的时间能够方便的控制膜层厚度；膜层的化学成分可控，通过改变CH3NH3X溶液中I和Br的比例能够得到成分不同的膜层，从而得到物理性质不同的钙钛矿薄膜，且得到的膜层较均匀，致密性好。
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公开(公告)号：CN104045105B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410195003.5
申请日：2014-05-11
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： C09K11/56
摘要： 本发明公开了一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法。将镉源在室温下溶于油胺，加入油酸稀释，制得镉溶液，即为油相；镉源为氯化镉、硫酸镉和硝酸镉中的一种，油胺与油酸的体积比为1:4；将升华硫粉在室温条件下超声溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液或者将含硫化合物直接溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液；升华硫粉或含硫化合物为硫源，含硫化合物为硫脲或硫化钠，三辛基膦为包裹剂，硫源与包裹剂的摩尔比为2:1；将镉溶液与硫溶液混合，在70度水浴条件下反应30分钟，在油相中有硫化镉量子点生成。本发明方法原料来源广，反应温度低，制得的硫化镉量子点粒径均匀，尺寸分布较窄，吸光峰位置在396~445纳米之间可调，荧光较强。
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公开(公告)号：CN111710754B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010394736.7
申请日：2020-05-11
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0328
摘要： 一种两相一步溶剂热制备Bi2S3‑石墨烯‑ZnS光电复合材料的方法，将合成Bi2S3的原料配成以苯甲醇为溶剂的油性溶液，合成ZnS的原料配成以水为溶剂的水性溶液，利用氧化石墨烯亲水和亲油的两亲性乳化这两种互不相溶的溶液的混合液，通过一步溶剂热反应，使Bi2S3在氧化石墨烯的一侧沉积，ZnS在另一侧沉积，同时氧化石墨烯被还原为石墨烯，得到Bi2S3‑石墨烯‑ZnS复合材料。本发明方法解决了传统一步法和两步法制备复合材料时，不能保证两种半导体都直接与石墨烯接触，从而影响光电性能的问题。本发明操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光电性能，所制备的Bi2S3‑石墨烯‑ZnS复合材料具有较好的光电响应性，在光电领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111710754A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010394736.7
申请日：2020-05-11
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0328
摘要： 本发明公开了一种两相一步溶剂热制备Bi2S3-石墨烯-ZnS光电复合材料的方法。发明利用氧化石墨烯亲水和亲油的两亲性乳化互不相溶的两种原料溶液，通过一步溶剂热反应，使Bi2S3在氧化石墨烯的一侧沉积，ZnS在另一侧沉积，同时氧化石墨烯被还原为石墨烯，得到Bi2S3-石墨烯-ZnS复合材料。本发明方法解决了传统一步法和两步法制备复合材料时，不能保证两种半导体都直接与石墨烯接触，从而影响光电性能的问题。发明的操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光电性能，所制备的Bi2S3-石墨烯-ZnS复合材料具有较好的光电响应性，在光电领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110215925A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910494366.1
申请日：2019-06-09
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： B01J27/047 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/36
摘要： 本发明公开了一种均相一步合成CdS-WO3复合材料的方法。将制备CdS所需的硫源和镉源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CdS和WO3同时生成，得到CdS-WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变镉源、硫源和钨源的相对浓度控制复合物中CdS和WO3的相对含量，从而调节CdS-WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CdS-WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
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公开(公告)号：CN110013863A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910230595.2
申请日：2019-03-26
申请人： 桂林理工大学
IPC分类号： B01J27/047
摘要： 本发明公开了一种一步溶剂热合成CuS-WO3复合材料的方法。将制备CuS所需的硫源和铜源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂乙二醇中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CuS和WO3同时生成，得到CuS-WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变铜源、硫源和钨源的浓度控制复合物中CuS和WO3的相对含量，从而调节CuS-WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CuS-WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
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公开(公告)号：CN105845827B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610198297.6
申请日：2016-04-01
申请人： 桂林理工大学
摘要： 本发明公开了一种无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料的制备方法。以分散在CH3NH3PbX3前驱液中的PbS纳米颗粒为种子，由于CH3NH3PbX3在非极性溶剂中的溶解度不高，通过滴入非极性溶剂的方法改变前驱液的极性使CH3NH3PbX3在PbS纳米颗粒表面析出，从而得到独立的无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度和成分配比控制CH3NH3PbX3壳层的厚度和成分，从而调节材料的吸光度和吸光范围，所制备的PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料能够用于太阳能电池等光电领域。
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