Invention Grant
- Patent Title: 具有非磁性种子层的装置及其形成方法
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Application No.: CN201410088312.2Application Date: 2014-03-11
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Publication No.: CN104050977BPublication Date: 2018-06-08
- Inventor: 田伟 , V·R·印图瑞 , D·林 , H·殷 , 邱教明
- Applicant: 希捷科技有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 希捷科技有限公司
- Current Assignee: 希捷科技有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 张东梅
- Priority: 13/797,165 2013.03.12 US
- Main IPC: G11B5/23
- IPC: G11B5/23

Abstract:
根据一个实施例,可配置一种装置,该装置包括:磁性材料的主极层;第二磁性材料层;设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层;设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层,其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例,这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例,这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例,也可利用制造该设备的方法。
Public/Granted literature
- CN104050977A 非磁性种子层方法和装置 Public/Granted day:2014-09-17
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IPC分类: