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公开(公告)号：CN115035918B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110848884.6
申请日：2021-07-26
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 松本拓也
摘要： 实施方式提供能够谋求记录品质的提高的磁盘装置。根据实施方式，磁盘装置具备：盘状的记录介质(12)，具有磁记录层；记录头，具有主磁极、与主磁极隔着写间隙而相对且与主磁极一起构成磁芯的写屏蔽磁极、对磁芯激励磁通的线圈及在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽磁极之间的自旋转矩振荡器；及控制器(90)。控制器执行：在对向线圈施加记录电流的记录电流供给电路(91)、向自旋转矩振荡器供给驱动电流的驱动电流供给电路(93)及自旋转矩振荡器通电的状态下一边使记录电流增大、一边监视自旋转矩振荡器的电阻值的变化并检测所述电阻值最大地增大时的记录电流值的处理；和将所述检测出的记录电流值设定为向所述线圈供给的记录电流的下限值的处理。
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公开(公告)号：CN116705081A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211524825.4
申请日：2022-11-30
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 本公开提供一种磁盘装置，能够使写性能提高。根据实施方式，磁盘装置具备：磁盘；磁头，向所述磁盘的磁道写入数据；及控制器，进行磁头的定位，登记写入了所述数据的扇区的地址和所述地址下的所述头的定位误差，所述控制器判断是否登记了要写入所述数据的第1扇区的往前2个磁道的第2扇区的定位误差，在登记了所述第2扇区的定位误差的情况下，基于所述第2扇区的定位误差，关于所述第1扇区的定位误差设定容许写动作的第1阈值，判断所述第1扇区的定位误差是否超过了所述第1阈值，在所述第1扇区的定位误差超过了所述第1阈值的情况下停止所述写动作。
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公开(公告)号：CN106067306A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450671.2
申请日：2015-07-28
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B2005/0024
摘要： 本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
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公开(公告)号：CN1276410C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03159375.5
申请日：2003-09-11
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： G11B5/3153
摘要： 在间隙下实现具有整体平面设计和开口高度以及凹口宽度的严密尺寸控制的磁记录头。写入器磁极包括在写入器间隙两侧上的高磁极材料。此外，定型磁极梢来提供用于最佳写入条件的具有良好的空间梯度的高磁场，由此扩展用于高密度和高频率应用中的纵向记录头的能力。
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公开(公告)号：CN1185631C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN00118756.2
申请日：1996-05-16
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 蒂莫斯·斯考特·胡夫班克斯 , 内尔·莱斯列·罗伯特森 , 史蒂芬·霍德·沃尔德曼 , 阿尔伯特·约翰·瓦拉士
CPC分类号： G11B5/3903 , G11B5/11 , G11B5/3103 , G11B5/3912 , G11B5/40 , G11B5/59683 , Y10T29/49032
摘要： 本发明提供了一种在基片上的读出头内制造读出头保护电路的方法，所述方法包括步骤：将绝缘体施加到所述基片上；将第一辅座结构施加到所述绝缘体上；在所述第一辅座结构以及所述绝缘体上施加一层可除去的材料；保留所述可除去的材料，其中所述可除去的材料不和与所述基片和所述绝缘体间界面相平行的平面共面；除去所述第一辅座结构；施加材料以形成第一磁屏和第一及第二寄生屏。
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公开(公告)号：CN1494057A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03159375.5
申请日：2003-09-11
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： G11B5/3153
摘要： 在间隙下实现具有整体平面设计和开口高度以及凹口宽度的严密尺寸控制的磁记录头。写入器磁极包括在写入器间隙两侧上的高磁极材料。此外，定型磁极梢来提供用于最佳写入条件的具有良好的空间梯度的高磁场，由此扩展用于高密度和高频率应用中的纵向记录头的能力。
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公开(公告)号：CN1113334C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN99106498.4
申请日：1999-05-14
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
摘要： 一个磁隧道结磁阻读取磁头，具有放置在隧道势垒层的相对的两侧的固定铁磁层和传感铁磁层，以及围绕着传感铁磁层的偏置铁磁层。一个电绝缘层将偏置层和传感层的边缘分隔开。偏置层是一个连续边界的偏置层，可以将传感层的三个边缘包围起来。可以将偏置层磁矩选择为与传感层的长边缘成一定角度。这样偏置层可同时提供为磁头提供线性响应的横向偏置场，以及用来稳定磁头的纵向偏置场。偏置层还可以用分立的侧向部分和后向部分构成。
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公开(公告)号：CN1075219C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN96111963.2
申请日：1996-08-30
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B5/1871 , G11B5/008
摘要： 在磁头中包括：一对磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部、第二峰部和第一与第二峰部间的端部，另一个磁芯包括第三峰部、第四峰部和第三与第四峰部间的另一个端部，第一、三峰部彼此相对，第二、四峰部彼此相对，端部分和另一端部分彼此相对，还包括高饱和磁通量密度层，一个高饱和磁通量密度层覆盖端部分而另一个高饱和磁通量密度层覆盖另一端部分，其中：在用于防止虚假磁头的重要区域内，至少在第一、第二、第三和第四峰部中的一部分上的高饱和磁通量密谋层的厚度不小于0.5μm。
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公开(公告)号：CN1313586A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN00118756.2
申请日：1996-05-16
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 蒂莫斯·斯考特·胡夫班克斯 , 内尔·莱斯列·罗伯特森 , 史蒂芬·霍德·沃尔德曼 , 阿尔伯特·约翰·瓦拉士
CPC分类号： G11B5/3903 , G11B5/11 , G11B5/3103 , G11B5/3912 , G11B5/40 , G11B5/59683 , Y10T29/49032
摘要： 一种具有“寄生屏”的磁阻读出头为和与火花放电有关的电流提供了一条替代的路径。该寄生屏设置成离常规的磁屏很近。寄生屏的电位保持为实质上和传感元件的电位相同。如果在常规的磁屏上积累电荷,电流将以比造成常规磁屏和传感元件间流过电流所需的电位的更低电位流向寄生屏。备择地,传导性火花隙装置和传感元件引线及各磁屏电连接。各火花隙装置安放为非常接近基片以为积累在传感元件和基片之间的电荷提供放电的替代路径。
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公开(公告)号：CN1061154C
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN96101297.8
申请日：1996-02-01
申请人： 株式会社三协精机制作所
发明人： 堀内达也
IPC分类号： G11B5/23
摘要： 一种磁头，其用树脂材料(6)把磁头铁心(5)固定在屏蔽壳体(3)内，并由屏蔽壳体(3)的前侧面和从该屏蔽壳体(3)的前侧面的孔露出的树脂材料(6)以及磁头铁心(5)形成磁带滑动接触面(11)，在所述屏蔽壳体(3)的两侧端，设有从磁带滑动接触面(11)向外伸出的磁带浮起片(8、8)，从而使在磁头铁心(5)的磁带行走方向的两侧露出的树脂材料(6)与磁带(4)之间留有间隙。该磁头加工制造方便，可确保露出于磁头铁心两侧的树脂材料与磁带不接触。
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