发明公开
- 专利标题： 用于MOSFET应用的可变缓冲电路
- 专利标题（英）： Variable buffer circuit for MOSFET application
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申请号： CN201410054781.2申请日： 2014-02-18
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公开(公告)号： CN104052458A公开(公告)日： 2014-09-17
- 发明人: 雷燮光 , 潘继
- 申请人： 万国半导体股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
- 专利权人： 万国半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 万国半导体国际有限合伙公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
- 代理机构： 上海申新律师事务所
- 代理商 吴俊
- 优先权： 61/776,276 2013.03.11 US; 13/943,156 2013.07.16 US
- 主分类号： H03K19/0185
- IPC分类号： H03K19/0185
摘要：
本发明的各个方面提出了一种具有缓冲电路的MOSFET器件。缓冲电路包括一个或多个带有动态可控电阻的电阻器，由开关时一个或多个MOSFET结构的栅极和/或漏极电势的变化控制。
公开/授权文献
- CN104052458B 用于MOSFET应用的可变缓冲电路 公开/授权日：2018-08-03
IPC分类:
