Invention Grant
- Patent Title: 制造半导体装置的方法和半导体装置
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Application No.: CN201410055269.XApplication Date: 2014-02-18
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Publication No.: CN104064477BPublication Date: 2017-09-22
- Inventor: 渡边正树 , 马场伸治 , 德永宗治 , 岩崎俊宽
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 广州三环专利商标代理有限公司
- Agent 温旭; 郝传鑫
- Priority: 2013-061089 20130322 JP
- Main IPC: H01L21/48
- IPC: H01L21/48 ; H01L21/60 ; H01L23/498

Abstract:
为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板,在该配线基板中,横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极,另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分,通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差,从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。
Public/Granted literature
- CN104064477A 制造半导体装置的方法和半导体装置 Public/Granted day:2014-09-24
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IPC分类: