公开(公告)号：CN101930950A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010246525.5

申请日：2005-07-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 胁山悟 ,  马场伸治

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/34 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明的课题在于，能够抑制半导体装置内所搭载的半导体芯片上所受到的应力，并防止半导体芯片内的膜产生剥离或破裂等。其解决方法为：在具有半导体芯片、半导体芯片主面上形成的电极、和搭载半导体芯片的布线板的半导体装置中，例如，设置将布线板的布线和电极电连接的再布线。该再布线使用能够缓和半导体芯片与布线板之间所产生的应力的再布线。

公开(公告)号：CN108140616B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201580083834.6

申请日：2015-10-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中川和之 ,  土屋惠太 ,  佐藤嘉昭 ,  马场伸治

IPC: H01L23/12 ,  H01G2/06 ,  H01L25/00 ,  H05K3/46

Abstract: 半导体器件包含：布线基板，其具备第一面及上述第一面的相反侧的第二面；半导体芯片，其搭载于上述布线基板，并具备多个芯片电极；第一电容器，其在俯视时配置在与上述半导体芯片重叠的位置，且内置于上述布线基板；以及第二电容器，其在俯视时配置在上述第一电容器与上述布线基板的周缘部之间。另外，上述第二电容器以串联连接的方式插入于相对于上述半导体芯片输入或输出电信号的信号传送路径。

公开(公告)号：CN105593986B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201380079870.6

申请日：2013-09-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下手义和 ,  马场伸治 ,  岩崎俊宽 ,  中川和之

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/28

Abstract: 一种实施方式的半导体装置(SP1)，在配线基板2的基材层(2CR)与半导体芯片(3)之间层叠有与基材层紧贴的阻焊膜(第1绝缘层、SR1)以及与阻焊膜和半导体芯片紧贴的树脂体(第2绝缘层、4)。另外，阻焊膜的线膨胀系数在基材层的线膨胀系数以上，阻焊膜的线膨胀系数在树脂体的线膨胀系数以下，并且基材层的线膨胀系数小于树脂体的线膨胀系数。通过上述结构，能够抑制由温度循环负荷引起的半导体装置的损伤，提高可靠性。

公开(公告)号：CN108369941A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680069738.0

申请日：2016-02-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中川和之 ,  寺岛克司 ,  土屋惠太 ,  佐藤嘉昭 ,  内田浩享 ,  萱岛祐治 ,  仮屋崎修一 ,  马场伸治

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192

Abstract: 一实施方式的半导体器件具有搭载于布线基板的第一半导体部件和第二半导体部件。上述第一半导体部件具有在与外部之间传输第一信号的第一端子以及在与上述第二半导体部件之间传输第二信号的第二端子。另外，上述第二半导体部件具有在与上述第一半导体部件之间传输上述第二信号的第三端子。另外，上述第一信号以比上述第二信号更高的频率来传输。另外，上述第一半导体部件的上述第二端子与上述第二半导体部件的上述第三端子经由上述第一布线构件电连接。另外，上述第一半导体部件的上述第一端子不经由上述第一布线构件而是经由第一凸块电极与上述布线基板电连接。

公开(公告)号：CN104064477A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410055269.X

申请日：2014-02-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边正树 ,  马场伸治 ,  德永宗治 ,  岩崎俊宽

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/1607 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17134 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。

公开(公告)号：CN101930950B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010246525.5

申请日：2005-07-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 胁山悟 ,  马场伸治

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/34 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明的课题在于，能够抑制半导体装置内所搭载的半导体芯片上所受到的应力，并防止半导体芯片内的膜产生剥离或破裂等。其解决方法为：在具有半导体芯片、半导体芯片主面上形成的电极、和搭载半导体芯片的布线板的半导体装置中，例如，设置将布线板的布线和电极电连接的再布线。该再布线使用能够缓和半导体芯片与布线板之间所产生的应力的再布线。

公开(公告)号：CN108140616A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580083834.6

申请日：2015-10-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中川和之 ,  土屋惠太 ,  佐藤嘉昭 ,  马场伸治

IPC: H01L23/12 ,  H01G2/06 ,  H01L25/00 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/642 ,  G01R31/2836 ,  H01G2/06 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4871 ,  H01L22/12 ,  H01L23/12 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/46

Abstract: 半导体器件包含：布线基板，其具备第一面及上述第一面的相反侧的第二面；半导体芯片，其搭载于上述布线基板，并具备多个芯片电极；第一电容器，其在俯视时配置在与上述半导体芯片重叠的位置，且内置于上述布线基板；以及第二电容器，其在俯视时配置在上述第一电容器与上述布线基板的周缘部之间。另外，上述第二电容器以串联连接的方式插入于相对于上述半导体芯片输入或输出电信号的信号传送路径。

公开(公告)号：CN104064477B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410055269.X

申请日：2014-02-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边正树 ,  马场伸治 ,  德永宗治 ,  岩崎俊宽

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/1607 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17134 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。

公开(公告)号：CN101996902B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010229575.2

申请日：2010-07-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中川和之 ,  马场伸治 ,  山田聪 ,  辛岛崇

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K3/3484 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8102 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0415 ,  H05K2203/043 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法。其目的在于：提高倒装连接型半导体器件的可靠性。在倒装连接型BGA的组装过程中，在利用倒装连接对半导体芯片(1)进行焊接连接时，通过在布线基板(2)下表面(2b)一侧的焊盘(2j)的表面形成焊接预涂层(3)，焊盘(2j)就与作为外部端子的焊球成为焊接连接，因此，能够提高焊盘(2j)与所述焊球的连接部的耐冲击性，从而可提高所述BGA的可靠性。

公开(公告)号：CN105280602A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510364702.2

申请日：2015-06-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小野善宏 ,  木下顺弘 ,  木田刚 ,  绀野顺平 ,  坂田贤治 ,  森健太郎 ,  马场伸治

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本发明提高半导体装置的可靠性。在由保护绝缘膜(PIF)覆盖的焊盘(PD)的探针区域(PBR)形成有探针痕迹(PM)。并且，柱状电极(PE)具有：形成在开口区域(OP2)上的第1部分；和从开口区域(OP2)上向探针区域(PBR)上延伸的第2部分。此时，开口区域(OP2)的中心位置相对于与接合指形部相对的柱状电极(PE)的中心位置偏离。