碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法

Invention Publication

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Patent Title: 碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法
Patent Title (English): SILICON CARBIDE DEVICE AND A METHOD FOR FORMING A SILICON CARBIDE DEVICE
Application No.: CN201410113715.8

Application Date: 2014-03-25
Publication No.: CN104078514A

Publication Date: 2014-10-01
Inventor: R·拉普 , C·黑希特 , J·康拉斯 , W·伯格纳 , H-J·舒尔策 , R·埃尔佩尔特
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Applicant Address: 德国诺伊比贝尔格
Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
Current Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
Current Assignee Address: 德国诺伊比贝尔格
Agency: 北京市金杜律师事务所
Agent 王茂华
Priority: 13/850,374 2013.03.26 US; 14/033,631 2013.09.23 US
Main IPC: H01L29/861
IPC: H01L29/861 ; H01L29/78 ; H01L29/772 ; H01L21/04

Abstract:

本发明提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。

Abstract(English):

A silicon carbide device includes a silicon carbide substrate, an inorganic passivation layer structure and a molding material layer. The inorganic passivation layer structure laterally covers at least partly a main surface of the silicon carbide substrate and the molding material layer is arranged adjacent to the inorganic passivation layer structure.

Public/Granted literature

CN104078514B 碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 Public/Granted day:2017-10-31

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管