发明授权
- 专利标题: 具有隔离隔膜的传感器
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申请号: CN201410213258.X申请日: 2014-04-08
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公开(公告)号: CN104101367B公开(公告)日: 2018-07-24
- 发明人: C·斯图尔特 , S·E·贝克 , R·A·戴维斯 , G·莫拉莱斯
- 申请人: 霍尼韦尔国际公司
- 申请人地址: 美国新泽西州
- 专利权人: 霍尼韦尔国际公司
- 当前专利权人: 霍尼韦尔国际公司
- 当前专利权人地址: 美国新泽西州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 马丽娜; 徐红燕
- 优先权: 13/859619 2013.04.09 US
- 主分类号: G01D5/12
- IPC分类号: G01D5/12 ; G01D5/16
摘要:
一种传感器组件,包括具有在其中形成腔的第一晶片以及相对于第一晶片结合从而在腔上方形成隔膜的第二晶片。在隔膜中或者环绕隔膜的第二晶片中形成沟槽,并且可以用隔离材料来填充该沟槽从而帮助热和/或电隔离隔膜。该隔膜可以支撑一个或多个感测元件。根据需要,传感器组件可以使用流量传感器、压力传感器、温度传感器、和/或任何其它适当传感器。
公开/授权文献
- CN104101367A 具有隔离隔膜的传感器 公开/授权日:2014-10-15