Invention Publication
- Patent Title: 脉冲发生电路及半导体装置
- Patent Title (English): Pulse generation circuit and semiconductor device
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Application No.: CN201410136414.7Application Date: 2014-04-04
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Publication No.: CN104103321APublication Date: 2014-10-15
- Inventor: 三宅博之 , 丰高耕平
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县厚木市
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县厚木市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 何欣亭; 王忠忠
- Priority: 2013-078202 2013.04.04 JP
- Main IPC: G11C19/28
- IPC: G11C19/28 ; G09G3/36 ; H03K3/02

Abstract:
本发明的课题之一是通过栅极驱动器的布局设计缩短显示装置的边框宽度。将两个栅极驱动器设置在像素部的左右侧。栅极线按每M行交替地连接于左右侧的栅极驱动器。两个栅极驱动器包括由单一导电型的晶体管构成的移位寄存器和多路分配器。移位寄存器包括级联连接的k个第一单元电路。多路分配器包括从第一单元电路输入信号且连接于M条栅极线的k个第二单元电路。第二单元电路从M条栅极线中选择一条或多条输出来自第一单元电路的输入信号的布线,并对所选的布线输出来自第一单元电路的信号。由于可以从1级的移位寄存器对M条栅极线输出栅极信号,因此可以缩短移位寄存器的宽度。
Public/Granted literature
- CN104103321B 脉冲发生电路及半导体装置 Public/Granted day:2020-01-21
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