发明授权
- 专利标题: 半导体装置的制造方法及焊接用压块
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申请号: CN201410150243.3申请日: 2014-04-15
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公开(公告)号: CN104112677B公开(公告)日: 2018-09-25
- 发明人: 佐野真二 , 西泽龙男
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县川崎市
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县川崎市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 韩明星; 金玉兰
- 优先权: 2013-086433 2013.04.17 JP
- 主分类号: H01L21/52
- IPC分类号: H01L21/52
摘要:
本发明提供一种半导体装置的制造方法以及用于该制造方法的焊接用压块,其在制造功率半导体模块的焊接工序中,抑制在接合面的熔融焊锡中产生厚度不均及空隙,并且即使在焊接构件上配置有布线等上部结构物,上部结构物与焊接用压块也互不干扰而使稳定的焊接成为可能。在因基材的翘曲而在基材接合面上出现高度差时,重心从压块主体的中心偏移,使用只在压块主体的与焊接物面对的一侧的边缘部配置有腿的焊接用压块,在基材主面的预定范围的边缘部中因翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置阻隔材料,并且以使重心位于因翘曲而高度相对变低的一侧的方式将压块载置于焊接物上,然后实施使焊锡熔融的升温处理。
公开/授权文献
- CN104112677A 半导体装置的制造方法及焊接用压块 公开/授权日:2014-10-22
IPC分类: