公开(公告)号：CN110913604B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201910700405.9

申请日：2019-07-31

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 日向裕一朗 ,  西泽龙男

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L25/07

摘要： 一种半导体装置、半导体装置的制造方法，确保端子引脚与用于插入端子引脚的连接构件的密合性。半导体装置(1)具备：绝缘电路基板(2)，其是在绝缘基板(20)的一个面上形成金属层(21)而成的；筒状的连接构件(5)，其借助接合材料(50)来与金属层接合；端子引脚(4)，其被插入到连接构件；以及筒状的增强构件(6)，其配置在连接构件的外周。增强构件由比连接构件硬的材料形成。

公开(公告)号：CN104170079A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380014851.5

申请日：2013-08-12

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 西田祐平 ,  西泽龙男

IPC分类号： H01L23/40 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/4006 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/56 ,  H01L23/049 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/45 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法，用于提高半导体装置的散热性。通过紧固连接半导体装置10与散热部件80，从而半导体装置10，相对于散热部件80以收纳区域51的边缘部52为支点，图中向下的力从金属基板40作用于散热部件80。据此，金属基板40与散热部件80之间的热传导材料81扩展得更薄，金属基板40与散热部件80之间的散热性提高。而且，扩展到金属基板40的外侧的热传导材料81填埋金属基板40的周围，金属基板40的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热部件80的半导体装置10的散热性提高。

公开(公告)号：CN110913604A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910700405.9

申请日：2019-07-31

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 日向裕一朗 ,  西泽龙男

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L25/07

摘要： 一种半导体装置、半导体装置的制造方法，确保端子引脚与用于插入端子引脚的连接构件的密合性。半导体装置(1)具备：绝缘电路基板(2)，其是在绝缘基板(20)的一个面上形成金属层(21)而成的；筒状的连接构件(5)，其借助接合材料(50)来与金属层接合；端子引脚(4)，其被插入到连接构件；以及筒状的增强构件(6)，其配置在连接构件的外周。增强构件由比连接构件硬的材料形成。

公开(公告)号：CN104170079B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201380014851.5

申请日：2013-08-12

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 西田祐平 ,  西泽龙男

IPC分类号： H01L23/40 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/4006 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/56 ,  H01L23/049 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/45 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法，用于提高半导体装置的散热性。通过紧固连接半导体装置10与散热部件80，从而半导体装置10，相对于散热部件80以收纳区域51的边缘部52为支点，图中向下的力从金属基板40作用于散热部件80。据此，金属基板40与散热部件80之间的热传导材料81扩展得更薄，金属基板40与散热部件80之间的散热性提高。而且，扩展到金属基板40的外侧的热传导材料81填埋金属基板40的周围，金属基板40的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热部件80的半导体装置10的散热性提高。

公开(公告)号：CN104205301A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201280071499.4

申请日：2012-08-17

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 斋藤隆 ,  西泽龙男 ,  木下庆人 ,  梨子田典弘

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。

公开(公告)号：CN104112677A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410150243.3

申请日：2014-04-15

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 佐野真二 ,  西泽龙男

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/292 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及用于该制造方法的焊接用压块,其在制造功率半导体模块的焊接工序中，抑制在接合面的熔融焊锡中产生厚度不均及空隙，并且即使在焊接构件上配置有布线等上部结构物，上部结构物与焊接用压块也互不干扰而使稳定的焊接成为可能。在因基材的翘曲而在基材接合面上出现高度差时，重心从压块主体的中心偏移，使用只在压块主体的与焊接物面对的一侧的边缘部配置有腿的焊接用压块，在基材主面的预定范围的边缘部中因翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置阻隔材料，并且以使重心位于因翘曲而高度相对变低的一侧的方式将压块载置于焊接物上，然后实施使焊锡熔融的升温处理。

公开(公告)号：CN101254561B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810082231.6

申请日：2008-02-26

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 大西一永 ,  西村芳孝 ,  西泽龙男 ,  望月英司

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  H01L21/50

CPC分类号： H05K3/3452 ,  B23K1/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/341 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/107 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种钎焊接合方法及使用该方法的半导体装置的制作方法，在第一部件的钎焊接合预定区域的外周部的至少一部分上，照射激光形成氧化膜，通过软钎料使第二部件与所述钎焊接合预定区域接合。即使进行除去软钎料中包含的焊剂残渣的药品清洗，软钎料抗蚀剂也不剥离。

公开(公告)号：CN106898600B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201610926034.2

申请日：2016-10-24

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 堀元人 ,  池田良成 ,  仲村秀世 ,  望月英司 ,  西泽龙男

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/52

摘要： 本发明能够容易地将多个半导体模块彼此加以连接。半导体模块(100)具备：具有螺母收容部(131～133)的封装树脂(130)和配置于螺母收容部(131～133)中的螺母(143)，其中，主端子(125～127)从封装树脂(130)突出，绝缘电路板、半导体元件以及配线电路板被封装在封装树脂(130)中。进而，上述半导体模块(100)具有汇流条端子(140)，该汇流条端子140与从封装树脂130突出的主端子125～127电连接，并具有与螺母143相对的插入孔142。由此，仅通过利用连接汇流条将半导体模块(100)的汇流条端子(140)加以连接，便可容易地将两个半导体模块(100)进行连接。

公开(公告)号：CN113224015A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110012538.4

申请日：2021-01-06

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 加藤辽一 ,  池田良成 ,  西泽龙男 ,  堀元人 ,  望月英司

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供半导体模块和半导体模块的制造方法。降低热阻并且降低电感。半导体模块(1)包括：层叠基板(2)，其是在绝缘板(20)的上表面配置有电路图案(22)并在绝缘板的下表面配置有散热板(21)而成的；半导体元件(3)，其在上表面配置有集电极(30)，在下表面配置有发射极电极(32)和栅电极(31)，发射极电极和栅电极经由凸块(B)与电路图案的上表面接合；以及块电极(4)，其与集电极接合。块电极具有：平板部(44)，其覆盖半导体元件的上方；以及一对突出部(45)，其自平板部的两端朝向电路图案突出地与电路图案接合。

公开(公告)号：CN103415918A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012452.0

申请日：2012-03-08

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 斋藤隆 ,  梨子田典弘 ,  西泽龙男 ,  木下庆人

IPC分类号： H01L21/60 ,  C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  C23C18/42 ,  C23C28/02 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/29 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/36 ,  C23C18/54 ,  C23C28/02 ,  C23C28/022 ,  C23C28/023 ,  C25D5/12 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84203 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011

摘要： 在设置于半导体晶片上的导电部（1）的表面上执行电镀工艺前执行电镀预先处理。然后，通过NiP合金电镀工艺，在导电部（1）的表面上形成第一金属膜（2）。随后，通过替换Ag电镀工艺在第一金属膜（2）室的表面上形成第二金属膜（3）。然后半导体晶片被划块且切割为半导体芯片（20）。此后，向已经形成在半导体芯片（20）的前表面上的第二金属膜（3）的表面上施加包含Ag颗粒的导电组合物。通过加热来烧结该导电组合物来形成包含Ag颗粒的结合层（4），且然后经由包含Ag颗粒的结合层（4）来将金属板（5）结合至第二金属膜（3）的表面。因此，可以提供具有高结合强度、良好耐热性、和热辐射性质的电子组件，以及制造电子组件的方法。