Invention Publication
CN104112715A 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Same
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Application No.: CN201410153991.7Application Date: 2014-04-17
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Publication No.: CN104112715APublication Date: 2014-10-22
- Inventor: 杉山道昭 , 绀野顺平
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 欧阳帆
- Priority: 2013-086899 2013.04.17 JP
- Main IPC: H01L23/12
- IPC: H01L23/12 ; H01L21/58

Abstract:
本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供了一种具有改善的可靠性的半导体装置。在BGA的布线板中,绝缘层在其上具有多个接合引线。绝缘层由具有玻璃布的预浸料和不具有玻璃布的树脂层组成。预浸料在其上具有树脂层。接合引线被直接布置在较软的树脂层上,并且因此由这个较软的树脂层支撑。当在倒装芯片接合期间负荷被施加到每个接合引线时,树脂层下沉,由此可以使施加到半导体芯片的应力缓和。
Public/Granted literature
- CN104112715B 半导体装置及其制造方法 Public/Granted day:2018-04-10
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IPC分类: