发明公开
- 专利标题： n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
- 专利标题（英）： Composition for forming n-type diffusion layer, method for producing semiconductor substrate having n-type diffusion layer, and method for producing solar cell element
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申请号： CN201380010626.4申请日： 2013-01-10
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公开(公告)号： CN104137227A公开(公告)日： 2014-11-05
- 发明人: 佐藤铁也 , 吉田诚人 , 野尻刚 , 芦泽寅之助 , 仓田靖 , 町井洋一 , 岩室光则 , 织田明博 , 清水麻理
- 申请人： 日立化成株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日立化成株式会社
- 当前专利权人： 日立化成株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 蒋亭
- 优先权： 2012-037384 2012.02.23 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/050305 2013.01.10
- 国际公布： WO2013/125253 JA 2013.08.29
- 进入国家日期： 2014-08-22
- 主分类号： H01L21/22
- IPC分类号： H01L21/22 ; H01L21/225 ; C03C8/16 ; C08L101/00 ; C09D201/00
摘要：
本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。
公开/授权文献
- CN104137227B n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法 公开/授权日：2018-05-18
IPC分类:
