发明公开
CN104185895A 外延掺杂的锗锡合金的形成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 外延掺杂的锗锡合金的形成方法
- 专利标题(英): Method of epitaxial doped germanium tin alloy formation
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申请号: CN201380015682.7申请日: 2013-03-25
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公开(公告)号: CN104185895A公开(公告)日: 2014-12-03
- 发明人: 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 黄宜乔
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 赵静
- 优先权: 61/619,268 2012.04.02 US; 13/784,403 2013.03.04 US
- 国际申请: PCT/US2013/033743 2013.03.25
- 国际公布: WO2013/151822 EN 2013.10.10
- 进入国家日期: 2014-09-22
- 主分类号: H01L21/265
- IPC分类号: H01L21/265 ; H01L21/8238
摘要:
在此描述用于形成锗锡层的方法与所得的实施例。将锗前驱物与锡前驱物提供至腔室,且在基板上形成锗锡的外延层。锗锡层选择性沉积在基板的半导体区域上,且可包括具有改变的锡与掺杂剂浓度的厚度区域。可通过交替地或同步地将卤化物气体流入以蚀刻基板表面而选择性沉积锗锡层。
公开/授权文献
- CN104185895B 外延掺杂的锗锡合金的形成方法 公开/授权日:2017-04-12