发明授权
- 专利标题: 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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申请号: CN201410233734.4申请日: 2014-05-29
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公开(公告)号: CN104218013B公开(公告)日: 2018-11-23
- 发明人: 清水晓人 , 冈田史朗
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 陈华成
- 优先权: 2013-113337 20130529 JP
- 主分类号: H01L23/492
- IPC分类号: H01L23/492 ; H01L23/28 ; H01L21/60 ; H01L21/56
摘要:
本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法,其提高半导体装置的可靠性。半导体装置(1)具有搭载了半导体芯片(3)的管芯焊盘(10)。管芯焊盘(10)以使位于搭载了半导体芯片(3)的上表面(10a)的相反侧的下表面(10b)露出的方式被树脂密封。另外,管芯焊盘(10)在俯视时,具有包括搭载了半导体芯片(3)的区域的中央部(11)、和设置在中央部(11)的旁边的边缘部(12)。另外,在中央部(11)和边缘部(12)的边界,设置了以使边缘部(12)的高度高于中央部(11)的高度的方式来形成的阶梯面(13a)。
公开/授权文献
- CN104218013A 半导体装置以及半导体装置的制造方法 公开/授权日:2014-12-17
IPC分类: