Invention Grant
- Patent Title: 衬底间通孔连接结构及其制造方法
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Application No.: CN201310270969.6Application Date: 2013-06-28
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Publication No.: CN104253110BPublication Date: 2017-09-29
- Inventor: 李广宁 , 沈哲敏
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 上海思微知识产权代理事务所
- Agent 屈蘅; 李时云
- Main IPC: H01L23/538
- IPC: H01L23/538 ; H01L21/768
Abstract:
本发明提供一种衬底间通孔连接结构及其制造方法，在TSV结构的介质层和金属通孔之间形成阻挡层，所述阻挡层包括一BCB树脂层，所述BCB树脂层利用BCB树脂材料的粘附性和塑性变形能力这两个特点，释放在TSV结构和工艺过程中的应力，从而消除或减少介质层‑阻挡层‑金属通孔分离的现象，提高产品的可靠性和良率。
Public/Granted literature
- CN104253110A 衬底间通孔连接结构及其制造方法 Public/Granted day:2014-12-31
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IPC分类:
