-
公开(公告)号：CN106904568B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201510980329.3
申请日：2015-12-23
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的功能材料层，以形成台阶形结构，在所述基底上和所述功能材料层的侧壁上形成有顶角变圆的缓冲层；步骤S2：在所述缓冲层和所述功能材料层上形成覆盖层，以覆盖所述功能材料层；步骤S3：在所述覆盖层上交替地形成第一金属层和第二金属层，以形成至少包含4层的金属叠层结构。本发明所述方法具有如下的优点：1)通过添加氧化物OX获得圆化顶角(corner rounding)效果的同时减小上层金属膜的应力，解决了缝隙孔洞(seam void)的问题；2)由于对应力有所改变，也降低了后续可能造成的分层问题；3)对于后续制程没有带来其他的副作用。
-
公开(公告)号：CN103426751B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201210149360.9
申请日：2012-05-14
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 李广宁
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/768
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件；在半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体器件，所述第一介质层中形成有与半导体器件相连的插塞；在第一介质层和插塞表面形成第二介质层；在第二介质层中形成暴露插塞表面的开口；在形成所述开口后，对所述半导体衬底进行第一退火；在进行所述第一退火后，在所述开口中填充满金属，形成第一金属互连层。在形成第一金属互连层之前，进行第一退火，减小半导体衬底上各材料之间的内应力，在形成第一金属互连层之后，减小了内应力的叠加效应。
-
公开(公告)号：CN105448987B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201410415055.9
申请日：2014-08-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请提供了一种半导体器件。该半导体器件包括半导体前道工艺结构和半导体后道工艺结构，半导体前道工艺结构包括：半导体衬底，其中设置有阱区和离子注入区，且阱区中设置有漏极；栅氧层，设置在半导体衬底的表面上；栅极，设置在栅氧层上；半导体后道工艺结构包括：层间介质层，其中设置有过孔；金属布线层，金属布线层中设置有金属部和介质部，过孔与金属部相连，栅极通过过孔和金属部与离子注入区相连，上述半导体器件还包括附加阱区，离子注入区设置在附加阱区中，附加阱区与阱区中的杂质离子为类型相同的第一杂质离子。附加阱区使栅极和漏极不存在电势差；附加阱区在半导体前道工艺中即可完成，不会影响层间介质层或金属布线层的制作。
-
公开(公告)号：CN104979276B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410141013.0
申请日：2014-04-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供等待超时晶圆，所述晶圆已形成有铜种子层；采用氢气和氮气对所述铜种子层进行还原处理；先采用大颗粒等离子气体刻蚀所述铜种子层，再采用小颗粒等离子气体对所述铜种子层表面进行修复。根据本发明的制造工艺通过对种子层表面刻蚀和氢气还原联合处理的方法，可实现TSV晶圆种子层等待超时后的再利用，减少器件报废的可能性，进而提高器件的性能和良品率。
-
公开(公告)号：CN105989929B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510090151.5
申请日：2015-02-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种导电薄膜的制作方法，用于形成厚度大于的含金导电膜，该制作方法包括下述步骤：S1：提供基底，在所述基底上形成粘合层；S2：在所述粘合层上通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层；S3：在所述金薄膜层上形成隔离层；重复所述步骤S2和步骤S3以交替形成金薄膜层和隔离层，进而得到期望厚度的导电薄膜，其中，在通过物理气相沉积形成一定厚度的金薄膜层时，通过控制物理气相沉积的工艺参数来使所述金薄膜层获得所需要的应力。本发明提出的导电薄膜的制作方法可形成符合厚度和应力要求的Cr/Au薄膜。
-
公开(公告)号：CN104282617B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201310273049.X
申请日：2013-07-01
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔中形成导电层；形成覆盖所述硅通孔顶部的BCB层；执行化学机械研磨直至露出所诉硅通孔的顶部。根据本发明，形成所述硅通孔时，可以避免产生于所述硅通孔的边缘靠近所述硅通孔顶部的位置的凹坑缺陷。
-
公开(公告)号：CN104078352B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201310103214.7
申请日：2013-03-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： 本发明提出一种晶圆清洗方法以及晶圆清洗装置，提供带有热量的去离子水，所述去离子水与所述刻铜液进行混合产生的热量与所述去离子水本身的热量均能够提高所述刻铜液对所述晶圆边缘表面的铜层进行刻蚀的效率，从而能够快速的去除所述晶圆边缘表面的铜层，避免所述刻铜液长时间的涂覆，可以有效的防治所述刻铜液溅射至所述晶圆的中心有铜区形成缺陷。
-
公开(公告)号：CN105826286A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510007132.1
申请日：2015-01-07
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/60 , H01L21/768
摘要： 本发明提出了一种芯片结构及其制作方法，将焊垫形成在芯片第一方向一侧的切割道上，并通过金属连线与芯片进行连接，在后续进行CP测试时，测试探针扎入位于切割道上的焊垫内，不会对芯片造成损伤，因此，能够保证芯片的质量，增加晶圆可用芯片的个数。此外，在完成CP测试后也不影响后续对芯片结构进行切割。进一步的，提出了芯片结构的制作方法，将芯片第一方向另一侧的切割道上的光罩单元设置为暗部，从而避免对公用切割道造成二次曝光，确保公用切割道上焊垫的性能，使CP测试能够顺利进行。
-
公开(公告)号：CN105448987A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410415055.9
申请日：2014-08-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请提供了一种半导体器件。该半导体器件包括半导体前道工艺结构和半导体后道工艺结构，半导体前道工艺结构包括：半导体衬底，其中设置有阱区和离子注入区，且阱区中设置有漏极；栅氧层，设置在半导体衬底的表面上；栅极，设置在栅氧层上；半导体后道工艺结构包括：层间介质层，其中设置有过孔；金属布线层，金属布线层中设置有金属部和介质部，过孔与金属部相连，栅极通过过孔和金属部与离子注入区相连，上述半导体器件还包括附加阱区，离子注入区设置在附加阱区中，附加阱区与阱区中的杂质离子为类型相同的第一杂质离子。附加阱区使栅极和漏极不存在电势差；附加阱区在半导体前道工艺中即可完成，不会影响层间介质层或金属布线层的制作。
-
公开(公告)号：CN104979276A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410141013.0
申请日：2014-04-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供等待超时晶圆，所述晶圆已形成有铜种子层；采用氢气和氮气对所述铜种子层进行还原处理；先采用大颗粒等离子气体刻蚀所述铜种子层，再采用小颗粒等离子气体对所述铜种子层表面进行修复。根据本发明的制造工艺通过对种子层表面刻蚀和氢气还原联合处理的方法，可实现TSV晶圆种子层等待超时后的再利用，减少器件报废的可能性，进而提高器件的性能和良品率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
99 条记录 (耗时 0.044 秒)
