发明授权
- 专利标题： 衬底间通孔连接结构及其制造方法
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申请号： CN201310270969.6申请日： 2013-06-28
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公开(公告)号： CN104253110B公开(公告)日： 2017-09-29
- 发明人: 李广宁 , 沈哲敏
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/768
摘要：
本发明提供一种衬底间通孔连接结构及其制造方法，在TSV结构的介质层和金属通孔之间形成阻挡层，所述阻挡层包括一BCB树脂层，所述BCB树脂层利用BCB树脂材料的粘附性和塑性变形能力这两个特点，释放在TSV结构和工艺过程中的应力，从而消除或减少介质层‑阻挡层‑金属通孔分离的现象，提高产品的可靠性和良率。
公开/授权文献
- CN104253110A 衬底间通孔连接结构及其制造方法 公开/授权日：2014-12-31
IPC分类:
