发明公开
- 专利标题: 光刻设备及器件制造方法
- 专利标题(英): Lithography apparatus and device manufacturing method
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申请号: CN201380022023.6申请日: 2013-03-18
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公开(公告)号: CN104272191A公开(公告)日: 2015-01-07
- 发明人: H·巴特勒 , M·范德威吉斯特
- 申请人: ASML荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰维德霍温
- 专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰维德霍温
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 张启程
- 优先权: 61/638,889 2012.04.26 US
- 国际申请: PCT/EP2013/055537 2013.03.18
- 国际公布: WO2013/160016 EN 2013.10.31
- 进入国家日期: 2014-10-24
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; G03F9/00
摘要:
公开了一种光刻设备和器件制造方法。光刻设备包括支撑台(16)以及包括传感器部分(13)和参考部分(12、14)的测量系统(12-14),所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分(13)与所述参考部分(12、14)相互作用来确定所述支撑台(16)相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向,其中:所述参考框架(6、8、10)包括N个子框架(6、8),所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体,并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统,其中N是大于1的整数。
公开/授权文献
- CN104272191B 光刻设备及器件制造方法 公开/授权日:2017-06-09
IPC分类: