Invention Publication
- Patent Title: 压力传感器及其形成方法
- Patent Title (English): Pressure sensor and forming method thereof
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Application No.: CN201310277659.7Application Date: 2013-07-03
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Publication No.: CN104280161APublication Date: 2015-01-14
- Inventor: 洪中山
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 骆苏华
- Main IPC: G01L1/14
- IPC: G01L1/14 ; G01L9/12

Abstract:
一种压力传感器及其形成方法,其中,压力传感器包括:具有器件区的衬底,所述衬底表面具有第一介质层;位于器件区的第一介质层表面的第二介质层,所述第二介质层具有台阶状侧壁;位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层,所述第一电极层具有位于第二介质层的台阶状侧壁表面的台阶区,所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层侧壁表面形貌相对应而呈台阶状;位于第一电极层表面的第二电极层,所述第二电极层和第一电极层之间电隔离,且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔,所述空腔内第二电极层表面形貌与空腔内第一电极层表面形貌相互对应而呈台阶状。所述压力传感器的灵敏度得到提高。
Public/Granted literature
- CN104280161B 压力传感器及其形成方法 Public/Granted day:2016-08-31
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