一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底第一区域表面形成第一伪栅结构，在半导体衬底第二区域表面形成第二伪栅结构；在所述第一伪栅结构和第二伪栅结构的侧壁表面形成阻挡层、位于所述阻挡层表面的含氧元素的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的第二绝缘层；去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构，形成第一凹槽和第二凹槽；去除所述第二凹槽侧壁表面阻挡层；在所述第一凹槽内壁的阻挡层表面形成第一栅极结构；在所述第二凹槽内壁的第一绝缘层表面形成第二栅极结构。所述晶体管的形成方法，在半导体衬底第一区域和第二区域形成不同阈值电压的晶体管，工艺步骤简单，提高晶体管的性能。