发明公开
- 专利标题: 一种浸渍型Re3W-Sc2O3混合基阴极材料及其制备方法
- 专利标题(英): Impregnated Re3W-Sc2O3 mixed base cathode material and preparation method thereof
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申请号: CN201410506057.9申请日: 2014-09-26
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公开(公告)号: CN104299869A公开(公告)日: 2015-01-21
- 发明人: 刘伟 , 汪强 , 王金淑 , 董丽然 , 朱晓策 , 刘祥 , 周美玲 , 左铁镛
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张慧
- 主分类号: H01J23/04
- IPC分类号: H01J23/04
摘要:
一种浸渍型Re3W-Sc2O3混合基阴极材料及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。以Re3W取代W,制备Re3W-Sc2O3混合基阴极,其中稀土氧化物Sc2O3约占总质量的3-8wt%,浸渍阴极发射活性盐为“411盐”焙烧物,最终制得铝酸钡钙盐中氧化钡、氧化钙、氧化铝的摩尔比为4:1:1。本发明制备的材料具有优异的脉冲电子发射性能。
公开/授权文献
- CN104299869B 一种浸渍型Re3W-Sc2O3混合基阴极材料及其制备方法 公开/授权日:2017-01-11