- 专利标题： 一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法
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申请号： CN201410567065.4申请日： 2014-10-22
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公开(公告)号： CN104316570B公开(公告)日： 2017-01-25
- 发明人: 郭新 , 丁俊超 , 李华曜
- 申请人： 华中科技大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构： 华中科技大学专利中心
- 代理商 曹葆青
- 主分类号： G01N27/00
- IPC分类号： G01N27/00 ; C01G51/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板，采用溶胶凝胶法在模板上形成掺杂钴酸镧纳米棒，并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌，并能在室温下对一氧化碳有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单，性能优异。
公开/授权文献
- CN104316570A 一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法 公开/授权日：2015-01-28
