本发明公开了一种微型皮拉尼计与体硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制备体硅器件所需的绝缘层及电路引线；在硅基片的背面或正面沉积一层绝缘隔热材料，刻蚀去除其四周部分得到绝缘隔热层；在绝缘隔热层上制备加热体和电极；在没有加热体的一面制备图形化的光刻胶掩膜；在有加热体的一面沉积金属膜；将金属膜粘贴在表面有氧化层的硅托片上；对有光刻胶掩膜的一面进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻穿硅基片；去除光刻胶掩膜和金属膜，得到集成结构。本发明能有效提高皮拉尼计的制备与其它工艺的兼容性，解决皮拉尼计与体硅器件集成封装工艺难度大，风险高，成本高且产量低的技术问题。