发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
-
申请号： CN201410378435.X申请日： 2014-08-01
-
公开(公告)号： CN104347425B公开(公告)日： 2019-04-05
- 发明人: 金锡勋 , 具本荣 , 金男奎 , 宋宇彬 , 李炳赞 , 郑秀珍
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 陈源; 张帆
- 优先权： 10-2013-0091594 2013.08.01 KR
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L27/11
摘要：
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。
公开/授权文献
- CN104347425A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2015-02-11
IPC分类:
