公开(公告)号：CN118173518A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311420224.3

申请日：2023-10-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申东石 ,  金正泽 ,  刘贤琯 ,  金锡勋 ,  朴判贵 ,  郑㥠珍 ,  赵南奎

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 提供了能提高元件性能和可靠性的半导体器件。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案和在有源图案上在第一方向上彼此隔开的多个栅极结构。每个栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极、栅电极的侧壁上的栅极间隔物和设置在相邻栅极结构之间的源极/漏极图案。栅极结构包括半导体衬垫层和半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层和半导体填充层由硅锗形成。半导体填充层包括在第三方向上突出超过有源图案的上表面的上部。半导体填充层的上部在第一方向上的最大宽度大于有源图案的上表面上的半导体填充层在第一方向的宽度。半导体衬垫层包括与有源图案接触的外表面和面向半导体填充层的内表面。在平面图中，半导体衬垫层的内表面包括凹区域。

公开(公告)号：CN109427778B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201810993514.X

申请日：2018-08-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡勋 ,  金东明 ,  申东石 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  张星旭 ,  赵南奎 ,  崔珉姬

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。

公开(公告)号：CN114597252A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111388186.9

申请日：2021-11-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金正泽 ,  金锡勋 ,  河龙 ,  朴判贵 ,  申东石

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

摘要： 提供了一种半导体装置，包括：有源图案，其包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；多个栅极结构，其位于下图案上以在第一方向上彼此间隔开，并且包括包围多个片图案的栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹部，其限定在彼此相邻的栅极结构之间；以及源极/漏极图案，其位于源极/漏极凹部内部，并且包括沿着源极/漏极凹部连续地形成的半导体阻挡膜，其中，源极/漏极凹部包括多个宽度延伸区域，并且宽度延伸区域中的每一个在第一方向上的宽度随着其远离下图案的上表面而增大并且随后减小。

公开(公告)号：CN110010689B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201910193855.3

申请日：2014-08-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡勋 ,  具本荣 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  李炳赞 ,  郑秀珍

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110752259A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910594266.6

申请日：2019-07-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  姜明一 ,  慎居明 ,  李承勋 ,  李正允 ,  崔珉姬 ,  崔正鍲

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/167 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。

公开(公告)号：CN118472005A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311151541.X

申请日：2023-09-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李兴淳 ,  朴容喜 ,  申东官 ,  金锡勋 ,  金胜圭 ,  梁洪铣

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案包括下图案和在所述下图案上彼此间隔开的多个片状图案；栅极结构，所述栅极结构定位在所述下图案上并且围绕所述片状图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案定位在所述栅极结构的两侧；以及堆叠图案，所述堆叠图案定位在所述源极/漏极图案与所述片状图案之间，其中，所述堆叠图案包括：第一堆叠图案和第二堆叠图案，所述第一堆叠图案和所述第二堆叠图案顺序地堆叠在片状图案的侧表面上，所述第二堆叠图案包括与所述第一堆叠图案的材料不同的材料，并且所述片状图案的第一宽度小于所述栅极结构的第二宽度。

公开(公告)号：CN110137137B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201910103231.8

申请日：2019-02-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡勋 ,  金东明 ,  金真范 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  张星旭 ,  赵南奎 ,  崔珉姬

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/78

摘要： 一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。

公开(公告)号：CN110729291B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201910603071.3

申请日：2019-07-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔珉姬 ,  金锡勋 ,  李峭蒑 ,  赵南奎 ,  李承勋

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H10B10/00

摘要： 一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。

公开(公告)号：CN108074984B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。

公开(公告)号：CN114628491A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111211674.2

申请日：2021-10-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔珉姬 ,  郑谞珍 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  河龙

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

摘要： 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，位于衬底上；至少一个纳米片，具有面对鳍顶的底表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及源极/漏极区，位于所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且与所述至少一个纳米片接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层的顶表面包括下刻面，所述下刻面在其在从所述至少一个纳米片到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降的，并且所述上主体层包括与所述下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面。对于垂直截面，所述下刻面沿着相应的第一线延伸，所述上刻面沿着与所述第一线相交的第二线延伸。