Invention Publication
CN104347483A 一种半导体器件及其制造方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and manufacturing method thereof
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Application No.: CN201310335580.5Application Date: 2013-08-02
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Publication No.: CN104347483APublication Date: 2015-02-11
- Inventor: 李广宁 , 沈哲敏
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 北京市磐华律师事务所
- Agent 董巍; 高伟
- Main IPC: H01L21/768
- IPC: H01L21/768 ; H01L23/522

Abstract:
本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底中形成硅通孔;在所述硅通孔中依次形成第一应力吸收层和铜导电层,其中,位于所述硅通孔底部的铜导电层的顶部低于所述硅通孔的顶部,以部分填充所述硅通孔;形成第二应力吸收层,覆盖所述铜导电层的同时完全填充所述硅通孔;执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明,在硅通孔中形成上述双层应力吸收层,可以明显减小衬垫层、阻挡层和铜导电层之间界面处的内部应力,避免分层现象的出现。
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