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发明授权
CN104377163B 互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺 有权 转让

互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺
摘要：
本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。
摘要（英）：

A wafer bonding layer and a process for using the same for bonding wafers are presented. The wafer bonding process includes providing a first wafer, providing a second type wafer and providing a water bonding layer. The wafer bonding layer is provided separately on a contact surface layer of the first or second wafer as part of a CMOS compatible processing recipe.

公开/授权文献
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